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J-GLOBAL ID：201202236861842402   整理番号：12A1510415

GaNゲート注入トランジスタ双方向スイッチのための等価回路モデル

Equivalent Circuit Model for a GaN Gate Injection Transistor Bidirectional Switch

著者 (6件)： IDE Toshihide (National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., JPN) ,  SHIMIZU Mitsuaki (National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., JPN) ,  SHEN Xu-Qiang (National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., JPN) ,  MORITA Tatsuo (Matsushita Electric Industrial Co., Ltd., Kyoto, JPN) ,  UEDA Tetsuzo (Matsushita Electric Industrial Co., Ltd., Kyoto, JPN) ,  TANAKA Tsuyoshi (Matsushita Electric Industrial Co., Ltd., Kyoto, JPN)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 59  号： 10  ページ： 2643-2649  発行年： 2012年10月 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ゲート電極が二つのGaN ゲート注入トランジスタ(GIT)は双方向スイッチモードであり,ダイオードモード動作ではブレークダウン電圧は650Vである。この双方向スイッチはデバイス数を減らし回路を小さくしてインバータのような回路に使うと損失を減らす。等価回路モデルを使って,4端子デバイスGaN GIT双方向スイッチのスイッチング波形と損失を解析した。GIT双方向スイッチの等価回路モデルに3端子モデルを適用し,チョッパー回路の波形を使用してパラメータを高精度で抽出した。GITのゲート構造の影響を含めるために,ゲート端子に接続した入力容量成分にゲート抵抗依存性を加えた。計算したスイッチング波形と損失は,回路電圧,負荷電流,ゲート抵抗の回路条件を変えた場合でも実験値と90%の精度で一致した。

シソーラス用語： 性質 ,  スイッチ ,  モデル ,  等価回路 ,  *窒化ガリウム ,  三端子回路 ,  スイッチング損失 ,  キャリア注入 ,  正孔 ,  抽出 ,  チョッパ回路 ,  電流電圧特性
準シソーラス用語： *FETスイッチ ,  GaN ,  パラメータ抽出 ,  双方向性 ,  *等価回路モデル

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： GaN ,  ゲート ,  注入 ,  トランジスタ ,  双方向 ,  等価回路モデル