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J-GLOBAL ID：201202236919165163   整理番号：12A0965629

高輝度反射高速陽電子回折を用いた半導体表面1次元鎖構造における原子配置と相転移の解析

著者 (6件)： 望月出海 (日本原子力研究開発機構 先端基礎研究セ) ,  深谷有喜 (日本原子力研究開発機構 先端基礎研究セ) ,  前川雅樹 (日本原子力研究開発機構 先端基礎研究セ) ,  河裾厚男 (日本原子力研究開発機構 先端基礎研究セ) ,  和田健 (高エネルギー加速器研究機構 物質構造科研) ,  兵頭俊夫 (高エネルギー加速器研究機構 物質構造科研)
資料名： アイソトープ・放射線研究発表会要旨集
巻： 49th  ページ： 72  発行年： 2012年06月20日 
JST資料番号： S0636B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *半導体 ,  *表面構造 ,  *相転移 ,  粒子線回折 ,  原子 ,  ゲルマニウム ,  角度分解分光法 ,  光電子分光法 ,  白金 ,  真空蒸着 ,  ロッキングカーブ ,  温度依存性
準シソーラス用語： 角度分解光電子分光 ,  原子鎖 ,  反射高速陽電子回折

分類 (1件)： 固相転移  (BL04020G)

タイトルに関連する用語 (7件)： 高輝度 ,  反射高速陽電子回折 ,  半導体表面 ,  1次元鎖 ,  原子配置 ,  相転移 ,  解析