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J-GLOBAL ID：201202236980375928   整理番号：12A1024248

エピタキシャルグラフェン-緩衝層-SiC基板系における原子の置換エネルギー

Energy of substitution of atoms in the epitaxial graphene-buffer layer-SiC substrate system

著者 (2件)： DAVYDOV S. Yu. (Russian Acad. of Sciences, Ioffe Physical-Technical Inst., Politekhnicheskaya ul. 26, 194021, St. Petersburg, RUS) ,  DAVYDOV S. Yu. (St. Petersburg Electrotechnical Univ. “LETI”, ul. Professora Popova 5, 197376, St. Petersburg, RUS)
資料名： Physics of the Solid State  (Physics of the Solid State)
巻： 54  号： 4  ページ： 875-882  発行年： 2012年04月 
JST資料番号： W0823A  ISSN： 1063-7834  CODEN： PSOSED  資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

タイトルに関連する用語 (6件)： エピタキシャルグラフェン ,  緩衝層 ,  SiC基板 ,  原子 ,  置換 ,  エネルギー