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J-GLOBAL ID：201202236984039884   整理番号：12A0663885

自然SiO₂層上にプローブ誘起された4nm極薄SiO_3.4突起の走査型光電子放出スペクトロマイクロスコピック研究

Scanning Photoemission Spectromicroscopic Study of 4-nm Ultrathin SiO_3.4 Protrusions Probe-Induced on the Native SiO₂ Layer

著者 (9件)： DEVAN Rupesh S. (National Dong Hwa Univ., Hualien, TWN) ,  GAO Shun-Yu (National Dong Hwa Univ., Hualien, TWN) ,  LIN Yu-Rong (National Dong Hwa Univ., Hualien, TWN) ,  CHENG Shun-Rong (National Dong Hwa Univ., Hualien, TWN) ,  HSU Chia-Er (National Dong Hwa Univ., Hualien, TWN) ,  CHEN Chia-Hao (National Synchrotron Radiation Res. Center, Hsinchu, TWN) ,  SHIU Hung-Wei (National Synchrotron Radiation Res. Center, Hsinchu, TWN) ,  LIOU Yung (Academia Sinica, Taipei, TWN) ,  MA Yuan-Ron (National Dong Hwa Univ., Hualien, TWN)
資料名： Microscopy and Microanalysis  (Microscopy and Microanalysis)
巻： 17  号： 6  ページ： 944-949  発行年： 2011年12月 
JST資料番号： W1587A  ISSN： 1431-9276  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 大面積極薄SiO_x(x=O/Siでx>2)突起が10V静電圧において局所アノード酸化リソグラフでの原子間力顕微鏡プローブで誘起された。たかだか数nm高さの自然SiO₂層上の大面積極薄SiO_x突起を走査型光電子顕微鏡法(SPEM)とX線光電子分光法(XPS)で評価した。自然SiO₂層上の大面積極薄SiO_x突起はSPEM画像で観測可能であった。理由は自然SiO₂層と大面積極薄SiO_x突起間の画像コントラストである。XPSは両者の化学量論を決めるために使用した。その結果,自然SiO₂層上の大面積極薄SiO_x突起は~4nm高さのSiO_3.4層であった

シソーラス用語： *原子間力顕微鏡 ,  プローブ ,  *酸化ケイ素 ,  隆起 ,  基板 ,  二酸化ケイ素 ,  酸化物 ,  *X線光電子分光法 ,  *電子顕微鏡観察 ,  光電子放出 ,  化学量論 ,  X線光電子スペクトル
準シソーラス用語： *光電子顕微鏡法 ,  自然酸化物 ,  *突起

分類 (2件)： 顕微鏡法  (BK01040E) ,  電子分光スペクトル  (BM09060K)

タイトルに関連する用語 (6件)： プローブ ,  誘起 ,  突起 ,  走査型 ,  光電子放出 ,  研究