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J-GLOBAL ID：201202237075313834   整理番号：12A1006139

POCl3アニーリング処理が4H-SiC上で成長させた熱酸化物にもたらす影響

Effect of POCl₃ Annealing on Reliability of Thermal Oxides Grown on 4H-SiC

著者 (5件)： MORISHITA Ryuji (Nara Inst. Sci. and Technol., Nara, JPN) ,  YANO Hiroshi (Nara Inst. Sci. and Technol., Nara, JPN) ,  OKAMOTO Dai (Nara Inst. Sci. and Technol., Nara, JPN) ,  HATAYAMA Tomoaki (Nara Inst. Sci. and Technol., Nara, JPN) ,  FUYUKI Takashi (Nara Inst. Sci. and Technol., Nara, JPN)
資料名： Materials Science Forum  (Materials Science Forum)
巻： 717/720  号： Pt.2  ページ： 739-742  発行年： 2012年 
JST資料番号： D0716B  ISSN： 0255-5476  資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： スイス (CHE)  言語： 英語 (EN)

タイトルに関連する用語 (5件)： POCl3 ,  アニーリング処理 ,  4H-SiC ,  成長 ,  熱酸化