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J-GLOBAL ID：201202237089049951   整理番号：12A0430649

走査電子顕微鏡を利用する半導体の表面電位の測定

Measurement of semiconductor surface potential using the scanning electron microscope

著者 (3件)： HEATH Jennifer T. (Linfield Coll., McMinnville, Oregon 97128, USA) ,  JIANG Chun-sheng (National Renewable Energy Lab., Golden, Colorado 80401, USA) ,  AL-JASSIM Mowafak M. (National Renewable Energy Lab., Golden, Colorado 80401, USA)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 111  号： 4  ページ： 046103  発行年： 2012年02月15日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 標準的な走査電子顕微鏡からの二次電子信号を表面または表面近くの電位の像を生ずる電圧に対して較正した。原子的に急激なヘテロ接合GaInP/GaAsならびに拡散されたホモ接合Si太陽電池デバイスのデータは,位置と印加バイアスによる電位の期待された変化を明らかに示した。それは10nmより良い精度で空乏幅を与え,金属接合の位置を決定する。いくつかの像においてp-n接合近くの歪が観測された。それは横方向電場(パッチ場)と矛盾しないように見える。チューブのバイアスの減少はこの歪を除去する。この方法は標準的な走査電子顕微鏡を利用して近表面電位のデータを迅速に,簡便に収集する。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *表面電位 ,  *走査電子顕微鏡 ,  *電気測定 ,  インジウム化合物 ,  ガリウム化合物 ,  リン化物 ,  ヒ化ガリウム ,  化合物半導体 ,  太陽電池 ,  PN接合 ,  ヘテロ接合 ,  *半導体
準シソーラス用語： シリコン太陽電池 ,  ホモ接合 ,  リン化インジウムガリウム ,  電位測定

分類 (2件)： 半導体の表面構造  (BK15030A) ,  顕微鏡法  (BK01040E)

タイトルに関連する用語 (2件)： 走査電子顕微鏡 ,  表面電位