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J-GLOBAL ID：201202237122438896   整理番号：12A0502659

数百keV C₆₀イオン照射によって形成された非昌質Si₃N₄薄膜中のイオントラックのTEM観察

著者 (8件)： 森田陽亮 (京大 大学院) ,  中嶋薫 (京大 大学院) ,  鈴木基史 (京大 大学院) ,  木村健二 (京大 大学院) ,  鳴海一雅 (原子力機構 高崎研) ,  斎藤勇一 (原子力機構 高崎研) ,  辻本政彦 (物質・細胞統合システム拠点) ,  磯田正二 (物質・細胞統合システム拠点)
資料名： 日本物理学会講演概要集  (日本物理学会年次大会講演概要集)
巻： 67  号： 1 第2分冊  ページ： 174  発行年： 2012年03月05日 
JST資料番号： S0671B  ISSN： 1342-8349  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *イオン照射 ,  *アモルファスシリコン ,  薄膜 ,  *粒子飛跡 ,  電子顕微鏡観察 ,  クラスタイオン ,  フラーレンC60 ,  照射損傷

分類 (1件)： その他の物質の放射線による構造と物性の変化  (BK16124V)

タイトルに関連する用語 (7件)： C60 ,  イオン照射 ,  質 ,  Si3N4 ,  薄膜 ,  イオントラック ,  TEM観察