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J-GLOBAL ID：201202237324587346   整理番号：12A0835027

AOS TFTの移動度に及ぼす増強移動度電流路の影響

Effect of enhanced-mobility current path on the mobility of AOS TFT

著者 (2件)： KIM Myung Ju (Dep. of Materials Sci. and Engineering, Hanyang Univ., 222 Wangsimni-ro, Seongdong-gu, Seoul 133-791, KOR) ,  CHOI Duck-kyun (Dep. of Materials Sci. and Engineering, Hanyang Univ., 222 Wangsimni-ro, Seongdong-gu, Seoul 133-791, KOR)
資料名： Microelectronics Reliability  (Microelectronics Reliability)
巻： 52  号： 7  ページ： 1346-1349  発行年： 2012年07月 
JST資料番号： C0530A  ISSN： 0026-2714  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,非晶質酸化物半導体薄膜トランジスタ(AOS TFT)における移動度増強,特に増強移動度電流路の影響を研究した。このTFT構造では,非晶質インジウムガリウム亜鉛酸化物(a-IGZO)単一活性チャネル層を二重層に置き換えた。インジウムすず酸化物(ITO)を増強移動度電流路材料として使用し,従来の底部ゲート構造TFTのa-IGZOチャネル層に埋め込んだ。付加的電流路の長さの影響を解析するため,a-IGZOチャネル長を80μmに固定し,ITO増強移動度電流路の長さを20,40,60μmに増加させた。その結果,移動度は増強移動度電流路の長さと共に単調に増加し,これは複合則から予測できた。増強移動度電流路の長さが60μmの場合,最大飽和移動度は28.3cm²/Vsであった。この値は単一電流路のTFTのものと比べて2倍以上である。このような移動度増強はa-IGZOとITOとの間の優れた伝導帯整合およびITOの高伝導度に起因する。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *非晶質半導体 ,  *酸化物 ,  *薄膜トランジスタ ,  電子密度 ,  *キャリア移動度 ,  伝送特性 ,  化合物半導体 ,  インジウム化合物 ,  ガリウム化合物 ,  亜鉛化合物 ,  酸化インジウムスズ ,  局在状態 ,  *ゲート【半導体】 ,  伝導バンド ,  活性層 ,  ドレイン【半導体】 ,  *電流電圧特性
準シソーラス用語： IGZO【半導体】 ,  捕獲電荷 ,  伝導帯

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (3件)： TFT ,  移動度 ,  増強