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J-GLOBAL ID：201202237439708139   整理番号：12A0670000

InGaN/GaN太陽電池の微細構造と性能に及ぼす量子井戸キャップ層厚の影響

Effect of quantum well cap layer thickness on the microstructure and performance of InGaN/GaN solar cells

著者 (12件)： HU Yan-ling (Materials Dep., Univ. of California, Santa Barbara, California 93106, USA) ,  FARRELL Robert M. (Materials Dep., Univ. of California, Santa Barbara, California 93106, USA) ,  NEUFELD Carl J. (Dep. of Electrical and Computer Engineering, Univ. of California, Santa Barbara, California 93106, USA) ,  IZA Michael (Materials Dep., Univ. of California, Santa Barbara, California 93106, USA) ,  CRUZ Samantha C. (Materials Dep., Univ. of California, Santa Barbara, California 93106, USA) ,  PFAFF Nathan (Materials Dep., Univ. of California, Santa Barbara, California 93106, USA) ,  SIMEONOV Dobri (Materials Dep., Univ. of California, Santa Barbara, California 93106, USA) ,  KELLER Stacia (Dep. of Electrical and Computer Engineering, Univ. of California, Santa Barbara, California 93106, USA) ,  NAKAMURA Shuji (Materials Dep., Univ. of California, Santa Barbara, California 93106, USA) ,  DENBAARS Steven P. (Materials Dep., Univ. of California, Santa Barbara, California 93106, USA) ,  MISHRA Umesh K. (Dep. of Electrical and Computer Engineering, Univ. of California, Santa Barbara, California 93106, USA) ,  SPECK James S. (Materials Dep., Univ. of California, Santa Barbara, California 93106, USA)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 100  号： 16  ページ： 161101-161101-4  発行年： 2012年04月16日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： In_xGa_1-xN/GaN多重量子井戸太陽電池用の二段階GaN障壁成長法を開発した。本方法ではGaNキャップ層を量子井戸の上部に成長させた後,高温GaN障壁層を成長させる。低温GaNキャップ層厚を1.5nmから3.0nmへ厚くすることで太陽電池の性能が顕著に向上した。高角度環状暗視野透過型走査電子顕微鏡(STEM)と原子プローブトモグラフィー測定は,GaNキャップ層厚の増加が均一性向上させ量子井戸の平均インジウム含有量を増加させることを示した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,  *保護膜 ,  依存性 ,  多重量子井戸 ,  *太陽電池 ,  電子顕微鏡観察 ,  半導体材料 ,  化合物半導体 ,  インジウム化合物
準シソーラス用語： *キャップ層 ,  層厚依存性

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (7件)： InGaN ,  GaN ,  太陽電池 ,  微細構造 ,  量子井戸 ,  キャップ ,  層厚