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J-GLOBAL ID：201202237963698949   整理番号：12A0238109

シリコン上のVO₂/HfO₂/VO₂ヘテロ構造における電気的に誘起された相変態によるマルチ抵抗状態

Multi-Resistance States Through Electrically Driven Phase Transitions in VO₂/HfO₂/VO₂ Heterostructures on Silicon

著者 (4件)： ZHOU You (Harvard Univ., MA, USA) ,  YANG Zheng (Harvard Univ., MA, USA) ,  YANG Zheng (Univ. Illinois at Chicago, IL, USA) ,  RAMANATHAN Shriram (Harvard Univ., MA, USA)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 33  号： 1  ページ： 101-103  発行年： 2012年01月 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 酸化物材料の抵抗の電気的制御は各種の固体素子で注目されている。VO₂のような急激な相変態を示す酸化物は,室温近傍で外部バイアスによりコンダクタンスを操作できるため特に重要である。本稿では,シリコン上に形成したVO₂/HfO₂/VO₂ヘテロ構造を使った抵抗の多段電気的スイッチングについて報告した。形状的な閉込めにより各VO₂層の変態する閾値電圧を調整することができ,これにより各層がコンダクタンス変換を行うときに鋭い電流変化を行う。電流と電圧の走査条件で共にこれらの特性が得られた。このような特性は今後の情報処理やデータ保持に利用できる。

シソーラス用語： *酸化バナジウム ,  素子構造 ,  酸化ハフニウム ,  *相変態 ,  電気抵抗 ,  コンダクタンス ,  電圧 ,  閾値 ,  スイッチング ,  *電気制御
準シソーラス用語： 電気的制御 ,  閾値電圧 ,  ヘテロ構造

分類 (1件)： 固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (7件)： シリコン ,  VO2 ,  HfO2 ,  ヘテロ構造 ,  誘起 ,  相変態 ,  マルチ