文献

J-GLOBAL ID：201202237978272182   整理番号：12A1237697

Schottkyダイオード特性への各種処理の効果

Effect of various treatments on Schottky diode properties

著者 (1件)： PASHAEV I. Q. (Baku State Univ., Acad. Zahid Khalilov str. 23, AZ-1148, Baku, Azerbaijan)
資料名： Semiconductors  (Semiconductors)
巻： 46  号： 8  ページ： 1085-1087  発行年： 2012年08月 
JST資料番号： T0093A  ISSN： 1063-7826  CODEN： SMICES  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 非晶質金属PbSb合金の結晶化温度付近での過剰電流の出現の原因を研究した。非晶質金属(a-PbSb)-n-SiによるSchottkyダイオードベースの太陽電池への超音波処理の効果を説明した。焼なましに伴う(a-PbSb)-n-Si Schottkyダイオード中の過剰電流の出現は,多結晶状態への転移の間の非晶質金属膜の構造変化に関連していることを示した。太陽電池の光電特性への超音波処理の効果は選んだ処理条件に依存していた。Copyright 2012 Pleiades Publishing, Ltd. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *鉛合金 ,  アンチモン含有合金 ,  *結晶化 ,  電流 ,  *Schottky障壁ダイオード ,  *太陽電池 ,  *焼なまし ,  *相転移 ,  変化 ,  *超音波 ,  非晶質金属 ,  *ケイ素
準シソーラス用語： 構造変化

分類 (2件)： 半導体-金属接触  (BM03084G) ,  太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (1件)： Schottkyダイオード