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J-GLOBAL ID：201202238431917312   整理番号：12A1154357

InGaN系垂直発光ダイオード用の透明導電膜としての部分サンドイッチ型グラフェン

Partially sandwiched graphene as transparent conductive layer for InGaN-based vertical light emitting diodes

著者 (9件)： WANG Liancheng (Semiconductor Lighting Technol. Res. and Dev. Center, Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences, Beijing ...) ,  ZHANG Yiyun (Semiconductor Lighting Technol. Res. and Dev. Center, Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences, Beijing ...) ,  LI Xiao (Dep. of Mechanical Engineering, Key Lab. for Advanced Manufacturing by Materials Processing Technol., Tsinghua Univ. ...) ,  LIU Zhiqiang (Semiconductor Lighting Technol. Res. and Dev. Center, Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences, Beijing ...) ,  GUO Enqing (Semiconductor Lighting Technol. Res. and Dev. Center, Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences, Beijing ...) ,  YI Xiaoyan (Semiconductor Lighting Technol. Res. and Dev. Center, Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences, Beijing ...) ,  WANG Junxi (Semiconductor Lighting Technol. Res. and Dev. Center, Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences, Beijing ...) ,  ZHU Hongwei (Dep. of Mechanical Engineering, Key Lab. for Advanced Manufacturing by Materials Processing Technol., Tsinghua Univ. ...) ,  WANG Guohong (Semiconductor Lighting Technol. Res. and Dev. Center, Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences, Beijing ...)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 101  号： 6  ページ： 061102-061102-4  発行年： 2012年08月06日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 光出力の高い多層グラフェン透明電極を持つInGaNに基づく垂直構造発光ダイオード(VLED)を作製し,試験した。高温焼なましは金属原子とGa原子の相互拡散を導入し,部分的にサンドイッチされたグラフェン構造を生成し,これはVLEDの性能向上に寄与した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： インジウム化合物 ,  ガリウム化合物 ,  窒化物 ,  化合物半導体 ,  半導体材料 ,  *発光ダイオード ,  *透明導電膜 ,  *炭素材 ,  サンドイッチ構造
準シソーラス用語： *多層グラフェン

分類 (1件)： 発光素子  (NC03082G)

タイトルに関連する用語 (5件)： InGaN ,  発光ダイオード ,  透明導電膜 ,  サンドイッチ ,  グラフェン