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J-GLOBAL ID：201202238439343498   整理番号：12A0652271

亜酸化ケイ素膜中の抵抗スイッチング

Resistive switching in silicon suboxide films

著者 (9件)： MEHONIC Adnan (Dep. of Electronic & Electrical Engineering, UCL, Torrington Place, London WC1E 7JE, GBR) ,  CUEFF Sebastien (CIMAP, UMR CNRS 6252 ENSICAEN, 6 Boulevard Marechal Juin, 14050 Caen Cedex 4, FRA) ,  WOJDAK Maciej (Dep. of Electronic & Electrical Engineering, UCL, Torrington Place, London WC1E 7JE, GBR) ,  HUDZIAK Stephen (Dep. of Electronic & Electrical Engineering, UCL, Torrington Place, London WC1E 7JE, GBR) ,  JAMBOIS Olivier (MIND-IN2UB, Dep. Electronica, Univ. de Barcelona, Marti i Franques 1, 08028, Barcelona, CAT, ESP) ,  LABBE Christophe (CIMAP, UMR CNRS 6252 ENSICAEN, 6 Boulevard Marechal Juin, 14050 Caen Cedex 4, FRA) ,  GARRIDO Blas (MIND-IN2UB, Dep. Electronica, Univ. de Barcelona, Marti i Franques 1, 08028, Barcelona, CAT, ESP) ,  RIZK Richard (CIMAP, UMR CNRS 6252 ENSICAEN, 6 Boulevard Marechal Juin, 14050 Caen Cedex 4, FRA) ,  KENYON Anthony J. (Dep. of Electronic & Electrical Engineering, UCL, Torrington Place, London WC1E 7JE, GBR)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 111  号： 7  ページ： 074507-074507-9  発行年： 2012年04月01日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 活性層がシリコンリッチシリカであるシリコンベースのメムリスタ/抵抗RAM(RRAM)中の抵抗スイッチングについて報告する。抵抗スイッチングはシリコンリッチ酸化物層の内在的特性で,導電性経路を形成する金属イオンの拡散には依存しない。文献中の他の論文とは異なり,スイッチングは通常環境条件下で起こり,活性材料の表面に限定されない。ここで提案するのはフィラメント状の導電性経路の電場駆動形成と電流駆動破壊の競合によるスイッチング機構である。伝導は高度に非化学量論的亜酸化物相中のシリコンナノ介在物から成る不連続導電経路を通じるトラップ支援トンネリングに支配されることを実証した。この種のナノ介在物はナノ構造膜の内部粒界に選択的に核形成すると想定した。スイッチングはメムリスタ系の特徴的な絞りI/Vヒステリシスループを呈し10⁴:1以上のオンオフ比を容易に実現できた。走査型トンネル顕微鏡がスイッチできる導電性経路の径は10nmかそれ以下であると示唆した。プログラミング電流は2μAまで低くでき,転移時間はナノ秒スケールであった。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *酸化物 ,  酸化ケイ素 ,  *スイッチング ,  ケイ素 ,  回路部品 ,  *RAM【メモリ】 ,  経路 ,  *トンネル効果 ,  電子 ,  介在物 ,  *核形成 ,  *結晶粒界 ,  曲線 ,  比率 ,  走査型トンネル顕微鏡 ,  電気抵抗 ,  電流電圧特性 ,  *二酸化ケイ素
準シソーラス用語： *シリカ ,  オンオフ比 ,  トラップ【固体】 ,  *ヒステリシスループ ,  メムリスタ ,  *亜酸化物 ,  *抵抗スイッチング

分類 (2件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  界面の電気的性質一般  (BM03081H)

タイトルに関連する用語 (2件)： 酸化ケイ素膜 ,  抵抗スイッチング