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J-GLOBAL ID：201202238448849787   整理番号：12A0652678

埋め込まれた2次元電荷を利用する高度に調節可能なヘテロ構造金属-半導体-金属キャパシタ

A highly tunable heterostructure metal-semiconductor-metal capacitor utilizing embedded 2-dimensional charge

著者 (7件)： DIANAT P. (Electrical and Computer Engineering Dep., Drexel Univ., Philadelphia, Pennsylvania 19104, USA) ,  PRUSAK R. W. (Electrical and Computer Engineering Dep., Drexel Univ., Philadelphia, Pennsylvania 19104, USA) ,  GALLO E. (Electrical and Computer Engineering Dep., Drexel Univ., Philadelphia, Pennsylvania 19104, USA) ,  COLA A. (Inst. for Microelectronics and Microsystems-Unit of Lecce, National Council of Res. (IMM-CNR), Via Monteroni, Lecce ...) ,  PERSANO A. (Inst. for Microelectronics and Microsystems-Unit of Lecce, National Council of Res. (IMM-CNR), Via Monteroni, Lecce ...) ,  QUARANTA F. (Inst. for Microelectronics and Microsystems-Unit of Lecce, National Council of Res. (IMM-CNR), Via Monteroni, Lecce ...) ,  NABET B. (Electrical and Computer Engineering Dep., Drexel Univ., Philadelphia, Pennsylvania 19104, USA)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 100  号： 15  ページ： 153505-153505-3  発行年： 2012年04月09日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 著者らはショットキーコンタクトおよび平面的金属-半導体-金属構造中の2次元電子ガス(2DEG)の間で形成されることを報告している。低バイアスにおけるデバイスキャパシタンスは可変キャパシタアノードおよびカソードの直列キャパシタンスの2倍で,共平面コンタクトの幾何学的キャパシタンスよりも低い最少値,C_min,に達する前に,しきい電圧で最大値,C_max,まで増加する。従って,結果として非常に高いC_max/C_min調整比が得られる。感度およびキャパシタンスの電圧に伴う規格化された変化も非常に大きい。コンタクト間の2DEG電荷の密度の高い蓄積がこの優れた性能の起源であることが示されている。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *Schottky障壁 ,  *MSM構造 ,  二次元電子ガス ,  *コンデンサ ,  素子構造 ,  電荷 ,  二次元 ,  埋込み【挿入】
準シソーラス用語： ヘテロ構造 ,  2次元電荷

分類 (1件)： LCR部品  (NA05030D)

タイトルに関連する用語 (5件)： 2次元 ,  電荷 ,  調節 ,  ヘテロ構造 ,  キャパシタ