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J-GLOBAL ID:201202238478432260   整理番号:12A1221634

応力振幅漸次増加手法を用いたシリコンの新規疲労試験と環境制御による疲労メカニズムの解明

Novel Fatigue Test with Ramping Stress Amplitude to Evaluate Fatigue Behavior of Silicon and Survey the Fatigue Mechanism by Environment Control
著者 (1件):
資料名:
巻: 30  ページ: 57-61  発行年: 2012年 
JST資料番号: X0948B  ISSN: 1883-3128  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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本研究では,脆性材料における疲労試験の効率化を目的として応力振幅を自由に変化・増加させた新規疲労試験法を導入し,多結晶および単結晶シリコンの疲労挙動の調査を行った。その結果,多結晶・単結晶シリコンともに窒素環境中において疲労することが明らかとなった。また温度を上げることによる推定疲労寿命の変化を評価し,疲労機構の推定を試みた。不活性環境下でも温度の上昇によって疲労寿命の低下が顕著になることから,結晶中の転位等の内部結果の蓄積が疲労の原因となる可能性が示唆された。(著者抄録)
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分類 (2件):
分類
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材料試験  ,  金属材料 
引用文献 (5件):

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