Ni(P)/Ta/TaN/Ta拡散バリアを用いた新しい高温はんだ接合技術

LANG Fengqun; 山口浩; 仲川博; 佐藤弘

文献

J-GLOBAL ID：201202238505893488 整理番号：12A1007137

Ni(P)/Ta/TaN/Ta拡散バリアを用いた新しい高温はんだ接合技術

A New High Temperature Resistant Bond Technology Using Ni(P)/Ta/TaN/Ta High Temperature Solder Diffusion Barrier

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資料名：
巻： 15 号： 4 ページ： 271-278 発行年： 2012年07月01日
JST資料番号： S0579C ISSN： 1343-9677 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：日本 (JPN) 言語：日本語 (JA)

SiCパワーデバイスをNi(P)拡散バリア付きの配線基板(Si₃N₄/Cu/Ni(P))上にAu-Geはんだで接合させた後,300°C以上の高温保持状態に置くと,Ni(P)拡散バリアのNiがAu-GeはんだのGeと反応し,はんだとNi(P)の界面にNiGe,Ni₅Ge₃およびNi₃Pの金属間化合物が生成することがわかった。Ni₅Ge₃金属間化合物は成長が速く,パワーデバイスの接合強度を著しく低減させる。これを防ぐため,Si₃N₄/Cu/Ni(P)配線基板の表面にスパッタ法で約200nm厚みのTa/TaN/Ta拡散バリアを形成することで,SiC-SBDパワーデバイスの高温接合信頼性を改善することができた。330°C,1,600h高温保持試験後,デバイスの接合強度はほぼ低下することなく,50MPa以上を維持した。接合を含むデバイスの電気抵抗は低い数値で変化が見られなかった。また,Ni(P)/Ta/TaN/Ta拡散バリアは-40-300°Cの冷熱サイクル条件下においても剥離などは観察されなかった。(著者抄録)

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固体デバイス材料 , 固体デバイス製造技術一般

引用文献 (25件)：

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