Zrバッファ層を有するSi(111)及びAl<sub>2</sub>O<sub>3</sub>上に成長させたGaNナノ構造の結晶方位

KIM Minji; SHIN Min Jeong; JEON Hunsoo; AHN Hyung Soo; YI Sam Nyung; CHOI Seok-Cheol; LEE Sang-Geul; YU Young Moon; SAWAKI Nobuhiko

文献

J-GLOBAL ID：201202238509168940 整理番号：12A0248673

Zrバッファ層を有するSi(111)及びAl₂O₃上に成長させたGaNナノ構造の結晶方位

Crystal Orientation of GaN Nanostructures Grown on Al₂O₃ and Si(111) with a Zr Buffer Layer

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資料名：
巻： 51 号： 1,Issue 2 ページ： 01AF04.1-01AF04.3 発行年： 2012年01月25日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

Si(111)及びAl₂O₃上に成長させたGaNナノ構造の結晶方位を調べた。AlNやZnOなどの慣用のバッファ層の新しい代替物としてZr金属を評価した。一次元構造(ナノロッド,ナノ針)を650°Cと600°Cで水素化物気相成長法により成長させ,電界放出走査電子顕微鏡(FE-SEM)とX線回折解析により調べた。FE-SEM画像はGaNナノロッドが成長方向に沿って均一な直径を持つことを示した。X線回折の結果はナノ構造が六角形結晶構造を持つことを,極点図測定はSi(111)基板上に成長させたGaNナノ構造がAl₂O₃上に成長させたものよりも強くc軸配向した結晶方位を持つことを示唆した。(翻訳著者抄録)

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半導体の結晶成長

引用文献 (16件)：

1) A. Hangleiter, J. S. Im, H Kollmer, S. Heppel, J. Off, and F. Scholz: MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 3 (1998) 15
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Zrバッファ層を有するSi(111)及びAl2O3上に成長させたGaNナノ構造の結晶方位

Zrバッファ層を有するSi(111)及びAl₂O₃上に成長させたGaNナノ構造の結晶方位