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J-GLOBAL ID：201202238712197548   整理番号：12A0893944

テーパー電子ブロック層を用いたAlN基板上の250nmAlInNレーザダイオードの設計と解析

Design and Analysis of 250-nm AlInN Laser Diodes on AlN Substrates Using Tapered Electron Blocking Layers

著者 (7件)： SATTER Md. Mahbub (Georgia Inst. Technol., GA, USA) ,  KIM Hee-Jin (Georgia Inst. Technol., GA, USA) ,  LOCHNER Zachary (Georgia Inst. Technol., GA, USA) ,  RYOU Jae-Hyun (Georgia Inst. Technol., GA, USA) ,  SHEN Shyh-Chiang (Georgia Inst. Technol., GA, USA) ,  DUPUIS Russell D. (Georgia Inst. Technol., GA, USA) ,  YODER Paul Douglas (Georgia Inst. Technol., GA, USA)
資料名： IEEE Journal of Quantum Electronics  (IEEE Journal of Quantum Electronics)
巻： 48  号： 5-6  ページ： 703-711  発行年： 2012年05月 
JST資料番号： H0432A  ISSN： 0018-9197  CODEN： IEJQA7  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,均一電子ブロック層を有するAlInNレーザの,界面分極電荷に起因する効率低下や利得減少を改善するために,テーパー電子ブロック層を有するAlN基板上の250nmAlInNレーザダイオードの設計を提案し,その数値シミュレーションの結果を提示した。本研究で使用したAlInNレーザダイオードのバンド構造パラメータとシミュレーション手法について詳細に解説した。テーパー電子ブロック層およびいくつかの代替手法を使用したAlInNレーザダイオードについて,入力電流-出力電力特性,および面内格子定数-閾値電流と-発振波長特性の数値シミュレーション結果を提示した。結果は,均一電子ブロック層の設計は,分極電荷に起因する寄生反転層による光学利得減少を示したが,テーパー電子ブロック層の設計では,分極電荷の体積再配分により光学利得が改善されることを示した。これは,提案設計のテーパー電子ブロック層AlInNレーザダイオードが,AlGaN系UVレーザダイオードの代替品として有望であることを示唆している。

シソーラス用語： 電子 ,  ブロッキング ,  *半導体レーザ ,  *紫外レーザ
準シソーラス用語： UVレーザ ,  *テーパー電子ブロック層 ,  レーザダイオード ,  光学利得 ,  *数値シミュレーション

分類 (1件)： 半導体レーザ  (BD04070L)

タイトルに関連する用語 (6件)： テーパー ,  電子ブロック層 ,  AlN ,  レーザダイオード ,  設計 ,  解析