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J-GLOBAL ID：201202238750460040   整理番号：12A0771338

選択エリアMOVPEによって成長した3DGaN構造の極性制御

Polarity Control in 3D GaN Structures Grown by Selective Area MOVPE

著者 (11件)： WANG Xue (TU Braunschweig, Braunschweig, DEU) ,  LI Shunfeng (TU Braunschweig, Braunschweig, DEU) ,  FUENDLING Soenke (TU Braunschweig, Braunschweig, DEU) ,  WEI Jiandong (TU Braunschweig, Braunschweig, DEU) ,  ERENBURG Milena (TU Braunschweig, Braunschweig, DEU) ,  WEHMANN Hergo-H. (TU Braunschweig, Braunschweig, DEU) ,  WAAG Andreas (TU Braunschweig, Braunschweig, DEU) ,  BERGBAUER Werner (Osram Opto Semiconductors GmbH, Regensburg, DEU) ,  STRASSBURG Martin (Osram Opto Semiconductors GmbH, Regensburg, DEU) ,  JAHN Uwe (Paul-Drude-Inst. Festkoerperelektronik, Berlin, DEU) ,  RIECHERT Henning (Paul-Drude-Inst. Festkoerperelektronik, Berlin, DEU)
資料名： Crystal Growth & Design  (Crystal Growth & Design)
巻： 12  号： 5  ページ： 2552-2556  発行年： 2012年05月 
JST資料番号： W1323A  ISSN： 1528-7483  CODEN： CGDEFU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 3D構造における混合極性の起源を研究して,混合極性の形態を阻止できる新しい”角錐台+支柱”近似法を提示した。選択SiO_x/サファイアマスクパターンでGaNを3D成長させると,GaとNの両方の極性を検出できることがわかった。InGaN/GaNコア-シェル発光ダイオード(LED)構造では,Ga極性物質の発生によって反転分域境界(IDBs)と強い黄色バンド発光へと進んだ。単一のN極性GaN支柱を”角錐台+支柱”成長近似法によって成長させた。この方法はSiO_xマスク物質上の核生成におけるGa極性のc面形成を除去することができる。このSiO_xマスク上のGa極性c面形成がおそらく混合極性の主要な原因になると考えられる。単一のN極性コア-シェルLEDsは混合極性LEDsと比較すると,陰極線ルミネセンス(CL)と光ルミネセンス(PL)スペクトルの両方で非常に弱い黄色バンド光(YL)を示した。

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,  *MOCVD ,  エピタクシー ,  酸化ケイ素 ,  サファイア ,  *マスキング ,  表面構造 ,  *極性 ,  *インジウム化合物 ,  *ガリウム化合物 ,  *窒化物 ,  コア構造 ,  シェル構造 ,  *発光ダイオード ,  分域構造 ,  可視発光スペクトル ,  放射強度 ,  核形成 ,  *陰極線ルミネセンス ,  *光ルミネセンス
準シソーラス用語： *窒化ガリウムインジウム ,  反転分域構造

分類 (4件)： 固-固界面  (CB12060M) ,  半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S) ,  発光素子  (NC03082G)

タイトルに関連する用語 (4件)： エリア ,  MOVPE ,  成長 ,  極性