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J-GLOBAL ID：201202238947839946   整理番号：12A0906245

炭窒化ケイ素ナノ層-合成と化学キャラクタリゼーション

Silicon carbonitride nanolayers - Synthesis and chemical characterization

著者 (10件)： HOFFMANN P.s. (Technische Universitaet Darmstadt, Materials Sci., Petersenstr. 23, 64287 Darmstadt, DEU) ,  FAINER N.i. (Nikolaev Inst. of Inorganic Chemistry, SB RAS, Acad. Lavrentjev Pr. 3, Novosibirsk 630090, RUS) ,  BAAKE O. (Technische Universitaet Darmstadt, Materials Sci., Petersenstr. 23, 64287 Darmstadt, DEU) ,  KOSINOVA M.l. (Nikolaev Inst. of Inorganic Chemistry, SB RAS, Acad. Lavrentjev Pr. 3, Novosibirsk 630090, RUS) ,  RUMYANTSEV Y.m. (Nikolaev Inst. of Inorganic Chemistry, SB RAS, Acad. Lavrentjev Pr. 3, Novosibirsk 630090, RUS) ,  TRUNOVA V.a. (Nikolaev Inst. of Inorganic Chemistry, SB RAS, Acad. Lavrentjev Pr. 3, Novosibirsk 630090, RUS) ,  KLEIN A. (Technische Universitaet Darmstadt, Materials Sci., Petersenstr. 23, 64287 Darmstadt, DEU) ,  POLLAKOWSKI B. (Physikalisch-Technische Bundesanstalt, Abbestr. 2-12, 10587 Berlin, DEU) ,  BECKHOFF B. (Physikalisch-Technische Bundesanstalt, Abbestr. 2-12, 10587 Berlin, DEU) ,  ENSINGER W. (Technische Universitaet Darmstadt, Materials Sci., Petersenstr. 23, 64287 Darmstadt, DEU)
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 520  号： 18  ページ： 5906-5913  発行年： 2012年07月01日 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： SiC_xN_y薄膜がプラズマ増強化学蒸着によって生成され,全反射蛍光形状でのX線吸収端微細構造測定のみならず偏光解析法,フーリエ変換赤外およびRaman分光法,X線回折,X線光電子分光法によって特性評価された。合成の温度は100°Cと800°Cの間で変化し,前駆体ヘキサメチルジシラザンあるいはヘキサメチルシクロトリシラザンがそれぞれN₂,He,そしてNH₃の付加で使用された。生成物の組成は約20at.%でSi中において一定であると決定された。これに対して,CとNの合計は80at.%で生じる(それぞれ20と60at.%の間で変化する)。それゆえ,生成された炭窒化ケイ素中で,SiのネットワークがSiCSi,SiCCSi,およびSiNSi橋で作られた。化学組成の比較と物理的性質の比較は,屈折率と吸収係数が最終式SiC_4-nN_n(n=1,2,あるいは3を有する)中の炭素濃度の増加とともに増加することをHeあるいはN₂で生じたサンプル(NH₃なし)に対して,それぞれ示す。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *ケイ素化合物 ,  炭化物 ,  窒化物 ,  ナノ構造 ,  *薄膜 ,  *プラズマCVD ,  キャラクタリゼーション ,  吸収係数 ,  屈折率 ,  ナノシート
準シソーラス用語： ナノ層 ,  プラズマ増強化学蒸着 ,  炭窒化ケイ素

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (4件)： 炭窒化ケイ素 ,  ナノ層 ,  化学 ,  キャラクタリゼーション