文献

J-GLOBAL ID：201202239023961172   整理番号：12A1237537

低電圧CMOSアナログ回路のための適応バイアスされたMOSFET

Adaptively-biased MOSFET for low voltage CMOS analog circuits

著者 (2件)： SATO Hiroki (Tokyo Inst. of Technol., Dep. of Communications and Integrated Systems, Graduate School of Sci. and Engineering ...) ,  TAKAGI Shigetaka (Tokyo Inst. of Technol., Dep. of Communications and Integrated Systems, Graduate School of Sci. and Engineering ...)
資料名： Analog Integrated Circuits and Signal Processing  (Analog Integrated Circuits and Signal Processing)
巻： 72  号： 3  ページ： 557-563  発行年： 2012年09月 
JST資料番号： W0439A  ISSN： 0925-1030  CODEN： AICPEF  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,低電源電圧による微小技術における現存のアナログ信号処理回路中の”信号電圧範囲の減少”の問題を緩和するための技術を提案した。提案した適応バイアスされたMOSFETペアは,より広い電圧範囲の飽和または3極管領域でMOSFETを動作するようにできる。Cadence Spectreおよび0.18μmCMOS技術のMOSFETパラメータを用いることによる提案した構造でのソース結合ペアのシミュレーション結果についても述べた。Copyright 2011 Springer Science+Business Media, LLC Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *MOSFET ,  *アナログ回路 ,  *CMOS構造 ,  信号処理 ,  バイアス ,  ダイナミックレンジ ,  シミュレーション ,  電圧変動 ,  電流源等価回路 ,  過渡応答
準シソーラス用語： 閾値電圧 ,  カレントミラー

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (4件)： 低電圧 ,  CMOSアナログ回路 ,  適応 ,  MOSFET