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J-GLOBAL ID:201202239248498153   整理番号:12A1450549

高度に(00l)配向したSb2Te3薄膜の製作と関連する強化した性能を持つ熱電デバイス

Fabrication of Highly (0 0 l)-Textured Sb2Te3 Film and Corresponding Thermoelectric Device with Enhanced Performance
著者 (6件):
資料名:
巻: 41  号: 11  ページ: 3031-3038  発行年: 2012年11月 
JST資料番号: D0277B  ISSN: 0361-5235  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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マグネトロンスパッタリング法による層状構造を持つ高度に(00l)配向したSb2Te3薄膜の製作方法について報告した。X線回折,エネルギー分散X線分光法を持つ走査電子顕微鏡法,および熱電(TE)測定装置により,この薄膜の組成,微細構造,および熱電性質をそれぞれ評価した。その結果,層状構造を持つよく配向した(00l)Sb2Te3薄膜が熱電性質の改良に有効であり,プレーナTEデバイスの期待できる選択肢であることが分かった。層状p-Sb2Te3薄膜デバイスの発電と冷却性能は一般的な薄膜デバイスより優れている。38層Sb2Te3薄膜素子による代表的並列デバイスでは,温度差76Kに対して,出力電圧,最大出力,および相当した電力密度はそれぞれ10.3mV,11.1μW,および73mW/cm2までであった。このデバイスは電流45mAで最大温度差6.1Kを出すことができた。この結果は,層状アーキテクチャを持つ(00l)配向Sb2Te3薄膜を集積することによりマイクロデバイスの性能を強化できることを証明した。Copyright 2012 TMS Translated from English into Japanese by JST.
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分類 (1件):
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熱電デバイス 
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