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J-GLOBAL ID：201202239958004834   整理番号：12A0741426

分子メモリ切替え素子としてロジウムのアゾアニオンラジカル錯体:分離,特性化及び電流電圧特性の評価

Azo Anion Radical Complex of Rhodium as a Molecular Memory Switching Device: Isolation, Characterization, and Evaluation of Current-Voltage Characteristics

著者 (5件)： PAUL Nanda D. (Indian Assoc. for the Cultivation of Sci., Kolkata, IND) ,  RANA Utpal (Indian Assoc. for the Cultivation of Sci., Kolkata, IND) ,  GOSWAMI Sreetosh (Bengal Engineering and Sci. Univ., Howrah, IND) ,  MONDAL Tapan K. (Jadavpur Univ., Kolkata, IND) ,  GOSWAMI Sreebrata (Indian Assoc. for the Cultivation of Sci., Kolkata, IND)
資料名： Journal of the American Chemical Society  (Journal of the American Chemical Society)
巻： 134  号： 15  ページ： 6520-6523  発行年： 2012年04月18日 
JST資料番号： C0254A  ISSN： 0002-7863  CODEN： JACSAT  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 分子メモリ切替え素子としてロジウム(III)のアゾアニオンラジカル錯体の二種類の稀な例を報告した。低原子価遷移金属前駆体を用いる金属安定化アゾアニオンラジカル錯体の合成について,2-(アリールアゾ)ピリジン[L;R=H,L^a=2-(フェニルアゾ)ピリジン,R=Cl,L^b=2-(4-クロロフェニルアゾ)ピリジン]と容易に置換できる高濃度電子前駆体[Rh^I(COD)₂]CF₃SO₃の反応:[Rh^I(COD)₂]CF₃SO₃+L→[Rh^III(L^・+)₂(L)]CF₃SO₃から高収率でジラジカル錯体[Rh^III(L^・+)₂(L)]CF₃SO₃([1]CF₃SO₃;R=H(1a),Cl(1b),ここでRは配位子Lの側鎖フェニル環上の置換基)を合成した。これらの錯体は大きなオンオフ比を有する優れたメモリ切替え性質を示し,RAM/ROM応用にとって好適であった。X線結晶学,温度可変磁化率測定,サイクリックボルタンメトリー,電子常磁性共鳴分光法及び密度汎関数理論含むホストの物理的方法を用い,それらの電子構造を解明した。結果は二個の強磁性結合ラジカルを有する系の主たる三重項状態記述を指示した。

シソーラス用語： *ロジウム錯体 ,  アニオンラジカル ,  化学合成 ,  *錯体生成 ,  スピン密度 ,  比率 ,  *電流電圧特性 ,  *記憶装置 ,  電子構造 ,  結合 ,  磁化率 ,  三重項 ,  温度依存性 ,  磁気モーメント ,  同位体交換 ,  結晶構造 ,  分子構造 ,  保持時間 ,  高スピン状態 ,  X線結晶学 ,  ESR【磁気共鳴】 ,  密度汎関数法 ,  基底関数系 ,  配位数 ,  サイクリックボルタンメトリー ,  酸化還元反応 ,  前駆体 ,  RAM【メモリ】 ,  ROM【メモリ】
準シソーラス用語： オンオフ比 ,  メモリデバイス ,  三重項状態 ,  電子常磁性共鳴 ,  反強磁性結合 ,  密度汎関数理論 ,  ジラジカル

分類 (2件)： 白金族元素の錯体  (CE01100E) ,  電極過程  (CB07040U)

物質索引 (3件)： 2-(4-クロロフェニルアゾ)ピリジン ,  2-(フェニルアゾ)ピリジン ,  トリフルオロメタンスルホナート

タイトルに関連する用語 (7件)： 分子 ,  切替え ,  ロジウム ,  錯体 ,  特性化 ,  電流電圧特性 ,  評価