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J-GLOBAL ID：201202240129903617   整理番号：12A1604424

Pt/Ti/SiO₂/Si基板上に成長した(Na_0.5K_0.5)NbO₃膜の電気的性質に及ぼす酸素圧の効果

Effects of oxygen pressure on electrical properties of (Na_0.5K_0.5)NbO₃ films grown on Pt/Ti/SiO₂/Si substrates

著者 (7件)： KIM Bo-yun (Dep. of Materials Sci. and Engineering, Korea Univ., Anam-dong 5-ga, Seongbuk-gu, Seoul 136-701, KOR) ,  SEONG Tae-geun (Dep. of Nano Semiconductor Engineering, Korea Univ., Anam-dong 5-ga, Seongbuk-gu, Seoul 136-701, KOR) ,  SEO In-tae (Dep. of Materials Sci. and Engineering, Korea Univ., Anam-dong 5-ga, Seongbuk-gu, Seoul 136-701, KOR) ,  KIM Jin-seong (Dep. of Materials Sci. and Engineering, Korea Univ., Anam-dong 5-ga, Seongbuk-gu, Seoul 136-701, KOR) ,  KANG Chong-yun (Electronic Materials Center, KIST39-1 Hawolkok-dong, Seongbuk-gu, Seoul 137-791, KOR) ,  YOON Seok-jin (Electronic Materials Center, KIST39-1 Hawolkok-dong, Seongbuk-gu, Seoul 137-791, KOR) ,  NAHM Sahn (Dep. of Materials Sci. and Engineering, Korea Univ., Anam-dong 5-ga, Seongbuk-gu, Seoul 136-701, KOR)
資料名： Acta Materialia  (Acta Materialia)
巻： 60  号： 20  ページ： 7034-7040  発行年： 2012年12月 
JST資料番号： A0316A  ISSN： 1359-6454  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： さまざまの酸素分圧(OPPs)下で(Na_0.5K_0.5)NbO₃(NKN)膜を焼鈍し,NKN膜の電気的性質に及ぼすOPPの影響を調べた。NKN膜の誘電率および圧電定数はOPPに影響されなかった。しかし,OPPが25.0torrを越えると,残渣分極および抗電場は低分解場および高漏れ電流のため減少した。大気雰囲気中で焼鈍したNKN膜は,酸素空孔数が減少するためOPPの増加とともに減少する高い漏れ電流密度を示した。25.0torrのOPP下で焼鈍したNKN膜について,0.3MVcm^-1での最小漏れ電流密度3.7×10^-8Acm^-2を得た。OPPが酸素の侵入型イオンの形成のため,漏れ電流は25.0torrを越えると増加した。Schottky放出によってPt/NKN/Pt装置の漏れ電流を説明した。Pt電極とNKN膜間の得られたSchottky障壁高さは,~1.24eVであった。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： 白金 ,  チタン ,  *カリウム化合物 ,  *ナトリウム化合物 ,  *ニオブ酸塩 ,  分圧 ,  焼なまし ,  *薄膜 ,  *電気的性質 ,  酸素 ,  空格子点 ,  誘電率 ,  漏れ電流 ,  電流密度 ,  Schottky障壁 ,  スパッタ蒸着 ,  マグネトロンスパッタリング ,  表面粗さ ,  周波数依存性 ,  依存性 ,  基板 ,  蒸着膜 ,  *セラミック膜 ,  圧電材料 ,  機能性セラミック ,  定数 ,  圧電気 ,  係数 ,  圧電セラミック ,  二酸化ケイ素
準シソーラス用語： シリカ ,  Hall係数 ,  シリコン基板 ,  *セラミック薄膜 ,  *ニオブ酸ナトリウムカリウム ,  ヒステリシスループ ,  圧電定数 ,  酸素空孔 ,  酸素分圧 ,  電場依存性

分類 (3件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  金属-絶縁体-金属構造  (BM03087F) ,  セラミック・磁器の性質  (YC03030G)

タイトルに関連する用語 (7件)： Pt ,  Ti ,  SiO2 ,  Si基板 ,  成長 ,  電気的性質 ,  酸素圧