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J-GLOBAL ID：201202240638343159   整理番号：12A0593542

カソードチップ上に被膜されたCs₃Sbからの光電子放出

Photoelectron emission from Cs₃Sb coated on a cathode tip

著者 (3件)： KIMOTO Takayoshi (Materials Processing Unit, National Inst. for Materials Sci., Tsukuba, Ibaraki 305-0047, JPN) ,  ARAI Yoshihiro (Terabase Inc., Okazaki, Aichi, 444-8787, JPN) ,  NAGAYAMA Kuniaki (National Inst. for Physiological Sciences, National Institutes of Natural Sciences, Okazaki, Aichi, 444-8787, JPN)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 258  号： 15  ページ： 5646-5653  発行年： 2012年05月15日 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高真空中でのTEM用にカソードチップ上に光電子放出材料を被膜する真空堆積装置を開発した。実用的な理由で,先ず,Csが低温でSbと化学的に反応するかどうかを調べた。-20°Cでカソードチップ上に堆積されたSb,Cs,Sbの堆積されたままの層から第2のSb堆積後0.5時間以内に光電子が放出された。光電流から計算された量子効率は基板材料の値の10⁴倍以上の大きかったので,第2のSb堆積後,0.5時間以内に薄膜が-20°CでのCsとSbの反応によってCs₃Sb薄膜が形成されたと結論した。第2のSb堆積から2時間後のCs₃Sbの量子効率は0.021-0.029%であったが,それは-20°Cと約10.5°Cの両方の温度で1.2-1.4×10^-7Paの真空度で時間と共に急速に減少した。直径0.2mmのカソードチップ上の直径70μmの小面積に被膜されたCs₃Sbからの光電子の検出に成功した。Cs₃Sbから放出された光電子は0.1kVから0.4kVまでの陽極電圧と共に減少するが,0.4kVから7kVまでは増加することがわかった。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *被覆 ,  *カソード ,  *光電子放出 ,  真空装置 ,  光電流 ,  *セシウム化合物 ,  *アンチモン化物 ,  電極チップ
準シソーラス用語： *アンチモン化セシウム

分類 (2件)： 光電子放出  (BM09030D) ,  その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A)

タイトルに関連する用語 (3件)： カソード ,  被膜 ,  光電子放出