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J-GLOBAL ID：201202240653834495   整理番号：12A0248676

有機金属化学気相成長法により成長させたGaN格子整合InAlN層の構造品質に及ぼす成長温度の影響

Effect of Growth Temperature on Structural Quality of InAlN Layer Lattice Matched to GaN Grown by Metal Organic Chemical Vapor Deposition

著者 (5件)： ICHIKAWA Junki (Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN) ,  SAKAI Yusuke (Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN) ,  CHEN Zhitao (Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN) ,  FUJITA Kazuhisa (Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN) ,  EGAWA Takashi (Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 51  号： 1,Issue 2  ページ： 01AF07.1-01AF07.3  発行年： 2012年01月25日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GaNに格子整合したInAlN層の構造品質に及ぼす成長温度の影響を報告した。InAlN/GaN構造は低温成長GaNバッファ層を用いてサファイア基板上に成長させた。X線回折と原子間力顕微鏡法の結果はInAlN層の品質が成長温度に依存して三次元成長表面の形態の影響を強く受けることを示唆した。GaNへ格子整合し平坦な表面と滑らかな界面を持つInAlNを790~800°Cで得た。800°Cで成長させたInAlN上に作製したSchottky障壁ダイオードは高品質の特性を示し,-5Vにおける漏れ電流は2.3×10^-9Aと低く,これは1.2×10^-6A/cm²の電流密度に対応し,-10Vで6.2×10^-8Aであった。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 窒化ガリウム ,  化合物半導体 ,  半導体材料 ,  *格子整合 ,  インジウム化合物 ,  アルミニウム化合物 ,  バッファ層 ,  基板 ,  X線回折 ,  *半導体薄膜 ,  *MOCVD ,  漏れ電流 ,  結晶成長 ,  薄膜成長 ,  温度依存性 ,  温度
準シソーラス用語： サファイア基板 ,  成長温度

分類 (1件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X)

引用文献 (11件)：

• 1) J. Kuzmik: IEEE Electron Device Lett. 22 (2001) 510.
• 2) J. Dorsaz, J.-F. Carlin, S. Gradecak, and M. Ilegems: J. Appl. Phys. 97 (2005) 084505.
• 3) A. Dadgar, F. Schulze, J. Bi・sing, A. Diez, A. Krost, M. Neuburger, E. Kohn, I. Daumiller, and M. Kunze: Appl. Phys. Lett. 85 (2004) 5400.
• 4) M. Gonschorek, J.-F. Carlin, E Feltin, M. A. Py, and N. Grandjean: Appl. Phys. Lett. 89 (2006) 062106.
• 5) E. Feltin, J.-F. Carlin, J. Dorsaz, G. Christmann, R. Butté, M. La霍gt, M. Ilegems, and N. Grandjean: Appl. Phys. Lett. 88 (2006) 051108.

タイトルに関連する用語 (6件)： 有機金属化学気相成長法 ,  成長 ,  GaN ,  格子整合 ,  InAlN ,  成長温度