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J-GLOBAL ID：201202240772893556   整理番号：12A1603107

電着を用いた半導体ナノワイヤ電気伝導率の洞察

Insights into semiconductor nanowire conductivity using electrodeposition

著者 (5件)： LIU C (Simon Fraser Univ., BC, CAN) ,  SALEHZADEH O (Simon Fraser Univ., BC, CAN) ,  POOLE P J (Inst. Microstructural Sci., National Res. Council of Canada, ON, CAN) ,  WATKINS S P (Simon Fraser Univ., BC, CAN) ,  KAVANAGH K L (Simon Fraser Univ., BC, CAN)
資料名： Semiconductor Science and Technology  (Semiconductor Science and Technology)
巻： 27  号： 10  ページ： 105020,1-6  発行年： 2012年10月 
JST資料番号： E0503B  ISSN： 0268-1242  CODEN： SSTEET  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 筆者らは基板に付着した自立ナノワイヤの電気的性質を特性化するための方法を開発中である。ナノワイヤ成長に用いる金触媒粒子を用いて,ナノワイヤの平均キャリア濃度と電気伝導率を決定できる。電着により成長させたGaAs及びInAsナノワイヤ上にCuとFeの電気接触を形成した。非ドープ又は低Cドープp型GaAsナノワイヤでは,CuとFeは核形成し,ナノワイヤ先端で金触媒上にのみ成長した。金属成長はAu接触抵抗により制限された。InAs及び高ドープGaAsナノワイヤでは,金属核形成と成長は金触媒上と側壁上で生じ,イオン電解質拡散率で制限された。

シソーラス用語： 電着 ,  半導体材料 ,  *ナノワイヤ ,  *電気伝導率 ,  ヒ化ガリウム ,  ヒ化インジウム ,  *化合物半導体 ,  結晶成長 ,  核形成 ,  接触抵抗 ,  電子顕微鏡観察 ,  構造 ,  電流電圧特性 ,  コアシェル構造

分類 (1件)： 半導体結晶の電気伝導  (BM03043X)

タイトルに関連する用語 (4件)： 電着 ,  半導体ナノワイヤ ,  電気伝導率 ,  洞察