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J-GLOBAL ID：201202240851547051   整理番号：12A0480391

Ru(0001)上のセンチメータ規模のエピタキシャル成長単層グラフェンの珪素層インターカレーション

Silicon layer intercalation of centimeter-scale, epitaxially grown monolayer graphene on Ru(0001)

著者 (16件)： MAO Jinhai (Inst. of Physics, Chinese Acad. of Sciences, Beijing 100190, CHN) ,  HUANG Li (Inst. of Physics, Chinese Acad. of Sciences, Beijing 100190, CHN) ,  PAN Yi (Inst. of Physics, Chinese Acad. of Sciences, Beijing 100190, CHN) ,  GAO Min (Inst. of Physics, Chinese Acad. of Sciences, Beijing 100190, CHN) ,  HE Junfeng (Inst. of Physics, Chinese Acad. of Sciences, Beijing 100190, CHN) ,  ZHOU Haitao (Inst. of Physics, Chinese Acad. of Sciences, Beijing 100190, CHN) ,  GUO Haiming (Inst. of Physics, Chinese Acad. of Sciences, Beijing 100190, CHN) ,  TIAN Yuan (Inst. of Physics, Chinese Acad. of Sciences, Beijing 100190, CHN) ,  ZOU Qiang (Inst. of Physics, Chinese Acad. of Sciences, Beijing 100190, CHN) ,  ZHANG Lizhi (Inst. of Physics, Chinese Acad. of Sciences, Beijing 100190, CHN) ,  ZHANG Haigang (Inst. of Physics, Chinese Acad. of Sciences, Beijing 100190, CHN) ,  WANG Yeliang (Inst. of Physics, Chinese Acad. of Sciences, Beijing 100190, CHN) ,  DU Shixuan (Inst. of Physics, Chinese Acad. of Sciences, Beijing 100190, CHN) ,  ZHOU Xingjiang (Inst. of Physics, Chinese Acad. of Sciences, Beijing 100190, CHN) ,  CASTRO NETO A. H. (Graphene Res. Centre, Dep. of Physics, National Univ. of Singapore, Singapore 117542) ,  GAO Hong-jun (Inst. of Physics, Chinese Acad. of Sciences, Beijing 100190, CHN)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 100  号： 9  ページ： 093101  発行年： 2012年02月27日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Ru(0001)上のグラフェン成長とそれに続く珪素層インターカレーションの方法を開発した。このインターカレーションはグラフェンと金属基板の相互作用を弱めるだけでなく,その最上の性質を維持する。珪素層インターカレーション手法(SIA)により作製したこのG/Si/Ru構造を走査型トンネル顕微鏡法/分光法及び角度分解光電子放出分光法により特性化した。これらの実験はこの新しい複合材料の高い構造的及び電気的品質を示した。SIAはグラフェンと金属基板の間の距離の原子レベルの制御を可能にし,トップゲートとして利用できる。本結果は次世代の性質を調整したグラフェン系材料の潜在性を示す。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *エピタクシー ,  *グラファイト ,  *インターカレーション ,  ケイ素 ,  ルテニウム ,  スペクトロスコピー ,  電子顕微鏡観察 ,  素子構造
準シソーラス用語： トップゲート ,  光電子放出分光法 ,  *単層グラフェン

分類 (1件)： 薄膜成長技術・装置  (BK14020I)

タイトルに関連する用語 (6件)： Ru ,  規模 ,  エピタキシャル成長 ,  単層グラフェン ,  珪素層 ,  インターカレーション