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J-GLOBAL ID：201202240903352483   整理番号：12A1719055

金属誘導側部結晶化により強化された多結晶シリコンナノワイヤ薄膜トランジスタの特性化

Characterizations of polycrystalline silicon nanowire thin-film transistors enhanced by metal-induced lateral crystallization

著者 (6件)： SU Chun-jung (Nano Facility Center, National Chiao Tung Univ., 1001 Ta-Hsueh Rd., Hsinchu 300, Taiwan) ,  SU Chun-jung (Dep. of Electronics Engineering and Inst. of Electronics, National Chiao Tung Univ., 1001 Ta-Hsueh Rd., I, Hsinchu ...) ,  HUANG Yu-feng (Dep. of Electronics Engineering and Inst. of Electronics, National Chiao Tung Univ., 1001 Ta-Hsueh Rd., I, Hsinchu ...) ,  LIN Horng-chih (Dep. of Electronics Engineering and Inst. of Electronics, National Chiao Tung Univ., 1001 Ta-Hsueh Rd., I, Hsinchu ...) ,  LIN Horng-chih (National Nano Device Laboratories, 26 prosperity Rd. I, Hsinchu 300, Taiwan) ,  HUANG Tiao-yuan (Dep. of Electronics Engineering and Inst. of Electronics, National Chiao Tung Univ., 1001 Ta-Hsueh Rd., I, Hsinchu ...)
資料名： Solid-State Electronics  (Solid-State Electronics)
巻： 77  ページ： 20-25  発行年： 2012年11月 
JST資料番号： H0225A  ISSN： 0038-1101  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： この論文で著者らは,配置設計と再結晶温度が,金属誘導側部結晶化(MILC)ナノワイヤ(NW)チャンネルを有する多結晶シリコン薄膜トランジスタ(poly-Si TFTs)の材料および電気的特性へ及ぼす効果の包括的な研究を提示する。再結晶温度を下げることによって,チャンネル中のより小さい固相結晶化(SPC)結晶粒の個数が減少するため,オフ状態漏れ電流は,MILCシーディングウィンドウの配置に対し強い依存性を示すことがわかった。その結果,オン状態挙動が改善される。さらに,MILC前部の空間的閉込めのため,NWチャンネルの小さい断面積が,少ししか側部結晶化をもたらさないため,その結果として,MILC NW素子の性能の増強を遅らせることになる。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *薄膜トランジスタ ,  *FET【トランジスタ】 ,  *キャラクタリゼーション ,  ポリシリコン ,  電気的性質 ,  結晶化
準シソーラス用語： *シリコンナノワイヤFET ,  多結晶シリコン ,  MILC

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

タイトルに関連する用語 (8件)： 誘導 ,  側部 ,  結晶化 ,  強化 ,  多結晶シリコン ,  ナノワイヤ ,  薄膜トランジスタ ,  特性化