ディープサブミクロンRFCMOSの高周波チャネル熱雑音のための新しい電界依存移動度モデル

ONG S.n.; ONG S.n.; YEO K.s.; CHEW K.w.j.; CHEW K.w.j.; CHAN L.h.k.; LOO X.s.; LOO X.s.; BOON C.c.; DO M.a.

文献

J-GLOBAL ID：201202241094294198 整理番号：12A0057605

ディープサブミクロンRFCMOSの高周波チャネル熱雑音のための新しい電界依存移動度モデル

A new field dependent mobility model for high frequency channel thermal noise of deep submicron RFCMOS

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資料名：
巻： 68 ページ： 32-37 発行年： 2012年02月
JST資料番号： H0225A ISSN： 0038-1101 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

本稿では,ドレイン誘起垂直電界効果(DIVF)を含む新しい電界依存有効移動度モデルを提供し,高周波で動作する短チャネルMOSFET動作のチャネル熱雑音を計算した。新しいチャネル熱雑音モデルに基づいて,シミュレートしたチャネル熱雑音スペクトル密度をGLOBALFOUNDRIES 0.13μm RFCMOS技法を用いて作成したデバイスの雑音測定から直接抽出したチャネル熱雑音と比較した。比較には,種々の周波数,ゲートバイアスおよびドレインバイアスに対して種々のチャネル長,フィンガー幅およびフィンガー数に対して実施した。シミュレートおよび抽出した雑音データ間で優れた一致を示したことは,提案したモデルが種々の次元および動作条件にわたりスケーラブルであることを実証した。提案したモデルは,簡単であり回路シミュレーション環境にて容易に実用可能である。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

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トランジスタ

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