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J-GLOBAL ID：201202241096760986   整理番号：12A1650136

収束イオンビームによるフォトニクスアプリケーション用のAl₂O₃誘電体層のナノ構造製作

Focused-ion-beam nanostructuring of Al₂O₃ dielectric layers for photonic applications

著者 (5件)： AY Feridun (Univ. Twente, Enschede, NLD) ,  AY Feridun (Anadolu Univ., Eskisehir, TUR) ,  WOERHOFF Kerstin (Univ. Twente, Enschede, NLD) ,  DE RIDDER Rene M (Univ. Twente, Enschede, NLD) ,  POLLNAU Markus (Univ. Twente, Enschede, NLD)
資料名： Journal of Micromechanics and Microengineering  (Journal of Micromechanics and Microengineering)
巻： 22  号： 10  ページ： 105008,1-5  発行年： 2012年10月 
JST資料番号： W1424A  ISSN： 0960-1317  CODEN： JMMIEZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 分布Bragg反射器(DBRs)に基づくデバイスの実現には高アスペクト比のナノ構造製作技術が必要であるが,従来のウェットまたは反応性エッチング技術では得られない。本稿では,集積フォトニックデバイスに適用するため,Al₂O₃チャネル導波路にナノ構造を直接作りむために収束イオンビーム(FIB)技術を適用した。イオンビーム電流,滞留時間,走査法と誘電体帯電のようなパラメータの影響を調べ,最適化した。その結果,平滑で均一な側壁を持つ高品質な格子が得られた。ミリングプロセス中のGa⁺イオン注入の光学的性質に対する影響について考察した。

シソーラス用語： *集束イオンビーム ,  *酸化アルミニウム ,  ナノ構造 ,  電流 ,  ビーム ,  滞留時間 ,  帯電 ,  回折格子 ,  イオン注入 ,  光学的性質 ,  反射器 ,  誘電体薄膜 ,  アスペクト比
準シソーラス用語： ビーム電流 ,  フォトニクス ,  高アスペクト比 ,  収束イオンビーム ,  *分布Bragg反射器

分類 (2件)： 光変調器  (BD06020W) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (7件)： 収束イオンビーム ,  フォトニクス ,  アプリケーション ,  Al2O3 ,  誘電体 ,  ナノ構造 ,  製作