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J-GLOBAL ID：201202241144122601   整理番号：12A0495416

ペンタセン有機電界効果トランジスタにグラフェン電極を採用することによって改善される有効移動度の特性評価

Characterization on Improved Effective Mobility of Pentacene Organic Field-Effect Transistors Using Graphene Electrodes

著者 (8件)： LEE Sangchul (Gwangju Inst. Sci. and Technol., Gwangju, KOR) ,  JO Gunho (Seoul National Univ., Seoul, KOR) ,  KANG Seok-Ju (Gwangju Inst. Sci. and Technol., Gwangju, KOR) ,  PARK Woojin (Gwangju Inst. Sci. and Technol., Gwangju, KOR) ,  KAHNG Yung Ho (Gwangju Inst. Sci. and Technol., Gwangju, KOR) ,  KIM Dong-Yu (Gwangju Inst. Sci. and Technol., Gwangju, KOR) ,  LEE Byoung Hun (Gwangju Inst. Sci. and Technol., Gwangju, KOR) ,  LEE Takhee (Seoul National Univ., Seoul, KOR)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 51  号： 2,Issue 2  ページ： 02BK09.1-02BK09.4  発行年： 2012年02月25日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 多層グラフェン(MLG)膜から成るソースおよびドレイン電極を備えたペンタセン有機電界効果トランジスタ(OFET)を作製した。MLG電極を備えたペンタセンOFETは,Au電極を備えた典型的な素子に比べて電気的特性が大幅に改善されることが分かった。これはMLG電極の採用によって,接触抵抗と障壁高が大幅に低下するためである。特に,グラフェン電極を備えたペンタセンOFETは,出力電流が10倍以上増大し,移動度は0.4cm²V^-1s^-1,そしてオン/オフ電流比は10⁷に達し,大幅に改善されることが分かった。本研究で得られた結果は,高性能の有機トランジスタを開発するのに非常に有用である。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 有機半導体 ,  *FET【トランジスタ】 ,  電極 ,  炭素材 ,  キャリア移動度 ,  多層 ,  金 ,  接触抵抗 ,  高さ ,  比率 ,  温度依存性 ,  ポリアセン ,  グラフェン
準シソーラス用語： オンオフ比 ,  障壁高さ ,  *有機FET

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

物質索引 (1件)： ペンタセン

引用文献 (20件)：

• 1) G. Horowitz: Adv. Mater. 10 (1998) 365.
• 2) S. R. Forrest: Nature 428 (2004) 911.
• 3) H. Yan, Z. Chen, Y. Zheng, C. Newman, J. R. Quinn, F. Diitz, M. Kastler, and A. Facchetti: Nature 457 (2009) 679.
• 4) J. A. Nichols, D. J. Gundlach, and T. N. Jackson: Appl. Phys. Lett. 83 (2003) 2366.
• 5) M. Shtein, J. Mapel, J. B. Benziger, and S. R. Forrest: Appl. Phys. Lett. 81 (2002) 268.

タイトルに関連する用語 (6件)： ペンタセン ,  有機電界効果トランジスタ ,  グラフェン電極 ,  採用 ,  移動度 ,  特性評価