金属-強誘電体-絶縁体-半導体キャパシタにおける保持特性に及ぼす基板シリコンのドーピング濃度の効果

XIAO Y. G.; XIONG Y.; TANG M. H.; LI J. C.; CHENG C. P.; JIANG B.; TANG Z. H.; LV X. S.; CAI H. Q.; GU X. C.; ZHOU Y. C.

文献

J-GLOBAL ID：201202241153525000 整理番号：12A0722551

金属-強誘電体-絶縁体-半導体キャパシタにおける保持特性に及ぼす基板シリコンのドーピング濃度の効果

Effect of doping concentration of substrate silicon on retention characteristics in metal-ferroelectric-insulator-semiconductor capacitors

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資料名：

Applied Physics Letters (Applied Physics Letters)

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巻： 100 号： 17 ページ： 173504-173504-4 発行年： 2012年04月23日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

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金属-強誘電体-絶縁体-半導体(MFIS)キャパシタにおける分極保持特性を,Louの分極保持モデル[J.Appl.Phys.105(9),094107(2009)]に基づいた反電場を考慮することにより理論的に研究した。導いた結果は,保持特性を,基板シリコンのドーピング濃度を高めることにより効果的に改善できることを実証した。加えて,分極保持特性の改善のために,MFISキャパシタを反転領域におけるよりも蓄積及び欠乏領域に保つことがより良かった。この研究が,MFISキャパシタ及び他のMFIS構造素子の設計及び保持特性改善に幾つかの有用なガイドラインを与えるであろうことが予想される。(翻訳著者抄録)

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