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J-GLOBAL ID：201202241218325267   整理番号：12A1099234

ハーフHeusler化合物: エネルギーおよびスピントロニクスアプリケーション向け新材料

Half-Heusler compounds: novel materials for energy and spintronic applications

著者 (7件)： CASPER F (Johannes Gutenberg-Univ. Mainz, Mainz, DEU) ,  GRAF T (Johannes Gutenberg-Univ. Mainz, Mainz, DEU) ,  GRAF T (Graduate School Material Sci. in Mainz, Mainz, DEU) ,  CHADOV S (Johannes Gutenberg-Univ. Mainz, Mainz, DEU) ,  BALKE B (Johannes Gutenberg-Univ. Mainz, Mainz, DEU) ,  FELSER C (Johannes Gutenberg-Univ. Mainz, Mainz, DEU) ,  FELSER C (Max-Planck-Inst. Chemical Physics of Solids, Dresden, DEU)
資料名： Semiconductor Science and Technology  (Semiconductor Science and Technology)
巻： 27  号： 6  ページ： 063001,1-8  発行年： 2012年06月 
JST資料番号： E0503B  ISSN： 0268-1242  CODEN： SSTEET  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Heuslerによって1903年に合成されたCu₂MnAlに始まった,構成元素は磁性を示さないが,化合物として強磁性を示す1500種を超えるHeusler化合物のうち,ハーフHeuslerすなわち半導体Heusler化合物について,総合的にレビューした。バンドギャップのチューニング,太陽電池応用,熱電応用,トポロジカル絶縁体(TI),希土類ベースのHeusler化合物,希釈半導体に分けて論じ,最後に総括と今後の見通しを述べた。半導体Heusler化合物は価電子数で特定され,バンドギャップは構成元素の電気陰性度差によって0~4Vに調節することができ,また磁性は希土類元素,マンガン,または電子ドーピングによって導入されることを解説した。エネルギー消費要件がエレクトロニクスからスピントロニクスへの移行を促している今,重要な新材料であることを強調した。

シソーラス用語： *ホイスラー合金 ,  *スピントロニクス ,  エネルギーシステム ,  銅合金 ,  マンガン合金 ,  アルミニウム合金 ,  強磁性 ,  半導体材料 ,  *バンドギャップ ,  太陽電池 ,  熱電素子 ,  絶縁材料 ,  *価電子 ,  電気陰性度 ,  希土類元素 ,  絶縁体 ,  トポロジカル絶縁体

分類 (1件)： 磁性材料  (NA04040H)

タイトルに関連する用語 (3件)： Heusler化合物 ,  エネルギー ,  新材料