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J-GLOBAL ID：201202241562898365   整理番号：12A1467071

自立GaN基板上のモノリシックAlInNに基づく青色垂直共振器形面発光レーザダイオード

Blue monolithic AlInN-based vertical cavity surface emitting laser diode on free-standing GaN substrate

著者 (5件)： COSENDEY Gatien (Ecole Polytechnique Federale de Lausanne (EPFL), Inst. of Condensed Matter Physics (ICMP), CH-1015 Lausanne, CHE) ,  CASTIGLIA Antonino (Ecole Polytechnique Federale de Lausanne (EPFL), Inst. of Condensed Matter Physics (ICMP), CH-1015 Lausanne, CHE) ,  ROSSBACH Georg (Ecole Polytechnique Federale de Lausanne (EPFL), Inst. of Condensed Matter Physics (ICMP), CH-1015 Lausanne, CHE) ,  CARLIN Jean-francois (Ecole Polytechnique Federale de Lausanne (EPFL), Inst. of Condensed Matter Physics (ICMP), CH-1015 Lausanne, CHE) ,  GRANDJEAN Nicolas (Ecole Polytechnique Federale de Lausanne (EPFL), Inst. of Condensed Matter Physics (ICMP), CH-1015 Lausanne, CHE)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 101  号： 15  ページ： 151113-151113-4  発行年： 2012年10月08日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： c面自立GaN基板上に成長させた無欠陥高反射率AlInN/GaN分布Bragg反射器を用いたIII族窒化物系垂直共振器形面発光レーザを報告する。パルス電気注入下のレーザ発振を室温で実証した。大きな自己加熱故に,高いレーザ発振閾値電流密度は素子の連続波レーザ発振を依然として妨げる。そのような高い閾値の原因を論じ,それが酸化インジウム錫の曲線拡散層における大きな光吸収に主に起因することを示した。電場に対してその厚みと位置を適当に調整することで閾値を大きく低減できた。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 窒化ガリウム ,  半導体材料 ,  *垂直共振器形面発光レーザ ,  反射器 ,  *レーザ発振 ,  *閾値 ,  電流密度 ,  インジウム化合物 ,  アルミニウム化合物
準シソーラス用語： 分布Bragg反射器

分類 (1件)： 半導体レーザ  (BD04070L)

タイトルに関連する用語 (5件)： 自立 ,  GaN ,  青色 ,  垂直共振器形面発光レーザ ,  ダイオード