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J-GLOBAL ID：201202241715498736   整理番号：12A1645763

ゲートコンタクトでの界面準位と界面層の存在下におけるMESFETの飽和速度モデル

Saturated velocity model of MESFET in the presence of interface states and interfacial layer at the gate contact

著者 (3件)： CHATTOPADHYAY P (Univ. of Calcutta, Kolkata, IND) ,  DUTTA S (Univ. of Calcutta, Kolkata, IND) ,  DUTTA S (Vidyasagar Univ., West Bengal, IND)
資料名： Indian Journal of Pure & Applied Physics  (Indian Journal of Pure & Applied Physics)
巻： 50  号： 4  ページ： 265-271  発行年： 2012年04月 
JST資料番号： C0728A  ISSN： 0019-5596  CODEN： IJOPAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： インド (IND)  言語： 英語 (EN)

タイトルに関連する用語 (7件)： ゲート ,  コンタクト ,  界面準位 ,  界面層 ,  MESFET ,  飽和 ,  速度モデル