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J-GLOBAL ID：201202242994238389   整理番号：12A0108016

分子エレクトロニクス:単一分子接合から超分子ナノデバイスまでの展望

Molecular electronics: from single molecular junction to supramolecular nanoscale devices.

著者 (1件)： 石田敬雄 (産業技術総合研 ナノシステム研究部門)
資料名： 応用物理  (JSAP International)
巻： 81  号： 1  ページ： 15-20  発行年： 2012年01月10日 
JST資料番号： F0252A  ISSN： 0369-8009  CODEN： OYBSA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 分子エレクトロニクスは,AviramとRatnerの単一分子ダイオードの提案から38年という歴史をもつ。単一分子を電極で架橋した単一分子接合は,新たな物性発現の低次元構造体として基礎科学の面からも注目を集めている。それ以外にも金属錯体分子膜の高い電子移動能,導電性高分子電極,分子機械を利用したデバイスなどさまざまな研究が報告されている。本稿では,単一分子接合から単分子膜トランジスタ,分子機械を利用した分子素子,2次元平面を利用した超分子構造体の電気伝導測定など分子エレクトロニクスの最新の動向と今後の展望について解説する。(著者抄録)

シソーラス用語： 接合 ,  超分子 ,  ダイオード ,  導電性高分子 ,  *分子素子 ,  トランジスタ ,  単分子層 ,  自己組織化 ,  走査型トンネル顕微鏡 ,  ナノ構造
準シソーラス用語： ナノデバイス ,  ナノギャップ ,  単分子膜 ,  単一分子接合 ,  分子エレクトロニクス ,  分子機械 ,  単分子膜トランジスタ ,  ナノエレクトロニクス

分類 (3件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  その他の固体デバイス  (NC03150A) ,  その他の接合  (BM03088W)

引用文献 (46件)：

• AVIRAM, A. Chem. Phys. Lett. 1974, 29, 277
• CARTER, F. L. Molecular Electric Devices. 1982
• BINNING, G. Phys. Rev. Lett. 1982, 49, 57
• ULMAN, A. Chem. Rev. 1996, 96, 1533
• BUMM, L. A. Science. 1996, 271, 1705

タイトルに関連する用語 (5件)： 分子エレクトロニクス ,  単一分子接合 ,  超分子 ,  ナノデバイス ,  展望