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J-GLOBAL ID：201202243381997712   整理番号：12A0332937

Sc粒スパッタによる巨大圧電性(0001)ScAlN薄膜の作製-効率的なSc代替材料探索を目指した成膜法-

著者 (3件)： 菅沼信広 (名古屋工大) ,  鈴木雅視 (名古屋工大) ,  柳谷隆彦 (名古屋工大)
資料名： 圧電材料・デバイスシンポジウム  (圧電材料・デバイスシンポジウム講演論文集)
巻： 2012  ページ： 19-22  発行年： 2012年01月30日 
JST資料番号： L5218A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *スカンジウム ,  スカンジウム化合物 ,  アルミニウム化合物 ,  窒化物 ,  半導体薄膜 ,  *薄膜成長 ,  *化学組成 ,  *アルミニウム ,  ターゲット ,  スパッタ蒸着 ,  ドーピング ,  結晶方位 ,  結晶構造 ,  結合係数 ,  電気機械効果 ,  *スパッタリング装置 ,  代替案 ,  X線回折 ,  *圧電材料 ,  格子定数 ,  走査電子顕微鏡
準シソーラス用語： 組成分析 ,  電気機械結合係数 ,  代替材料

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  圧電デバイス  (NC03110I)

タイトルに関連する用語 (8件)： Sc ,  スパッタ ,  圧電性 ,  薄膜 ,  作製 ,  代替材料 ,  探索 ,  成膜