文献

J-GLOBAL ID：201202243731915536   整理番号：12A0231321

その場化学反応法によるウルツ鉱CdS薄膜の生成に及ぼす,陰イオン濃度と析出温度の影響

Influence of anionic concentration and deposition temperature on formation of wurtzite CdS thin films by in situ chemical reaction method

著者 (7件)： CHU Juan (School of Materials Sci. and Engineering, Key Lab. for Advanced Ceramics and Machining Technol. of Ministry of ...) ,  JIN Zhengguo (School of Materials Sci. and Engineering, Key Lab. for Advanced Ceramics and Machining Technol. of Ministry of ...) ,  WANG Weidong (School of Materials Sci. and Engineering, Key Lab. for Advanced Ceramics and Machining Technol. of Ministry of ...) ,  LIU Hui (School of Materials Sci. and Engineering, Key Lab. for Advanced Ceramics and Machining Technol. of Ministry of ...) ,  WANG Dalong (School of Materials Sci. and Engineering, Key Lab. for Advanced Ceramics and Machining Technol. of Ministry of ...) ,  YANG Jingxia (State Key Lab. of Silicon Materials, Dep. of Materials Sci. & Engineering, Zhejiang Univ., Hangzhou 310027, CHN) ,  HONG Zhanglian (State Key Lab. of Silicon Materials, Dep. of Materials Sci. & Engineering, Zhejiang Univ., Hangzhou 310027, CHN)
資料名： Journal of Alloys and Compounds  (Journal of Alloys and Compounds)
巻： 517  ページ： 54-60  発行年： 2012年03月15日 
JST資料番号： D0083A  ISSN： 0925-8388  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 反応源としてカドミウム前駆体固体薄膜を,陰イオンの反応媒質として硫化ナトリウム基の溶液を,それぞれ使用して,新しいその場化学反応合成法で,ナノ結晶質のCdS薄膜をガラス基材に析出した。別々の陽イオン前駆体溶液と陰イオン前駆体溶液でのS:Cdモル濃度と,析出温度の,析出したCdS薄膜の結晶構造,モルホロジー,化学成分,および光学的性質への影響を,X線回折,電界放射走査電子顕微鏡,エネルギー分散型X線分析,およびUV-vis分光で調査した。その場化学反応合成で析出したCdS薄膜は,(002)面の優先配向があるウルツ鉱型構造を持ち,この傾向は,S:Cdのモル濃度比の増加とともに,徐々に向上した。析出速度は,20°Cから60°Cまでの析出温度の範囲で,1サイクルあたり80~100nmの厚さであった。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *硫化カドミウム ,  *半導体薄膜 ,  基板 ,  ガラス ,  *カドミウム化合物 ,  硝酸塩 ,  エーテル ,  脂肪族アルコール ,  アミノアルコール ,  *硫化ナトリウム ,  *化学反応 ,  ナノ結晶 ,  結晶構造 ,  モルフォロジー ,  化学組成 ,  光学的性質 ,  ウルツ鉱型結晶 ,  *濃度依存性 ,  *温度依存性 ,  *薄膜成長 ,  脂肪族アミン ,  第一アミン
準シソーラス用語： *その場反応 ,  化学成分 ,  硝酸カドミウム

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  塩  (CD01050V)

物質索引 (3件)： エタノールアミン ,  エチレングリコールモノメチルエーテル ,  ブチルアルコール

タイトルに関連する用語 (6件)： 化学反応 ,  ウルツ鉱 ,  CdS ,  薄膜 ,  イオン濃度 ,  析出