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J-GLOBAL ID：201202243749276085   整理番号：12A1636262

テルルのナノ粒子を埋め込んだテルル化ビスマスアンチモンの熱電特性の向上の実験的な証拠

Experimental evidence of enhancement of thermoelectric properties in tellurium nanoparticle-embedded bismuth antimony telluride

著者 (7件)： KIM Sang Il (Samsung Electronics, Gyung-gi, KOR) ,  HWANG Sungwoo (Samsung Electronics, Gyung-gi, KOR) ,  ROH Jong Wook (Samsung Electronics, Gyung-gi, KOR) ,  AHN Kyunghan (Samsung Electronics, Gyung-gi, KOR) ,  YEON Dong-Hee (Samsung Electronics, Gyung-gi, KOR) ,  LEE Kyu Hyoung (Samsung Electronics, Gyung-gi, KOR) ,  KIM Sung Wng (Sungkyunkwan Univ., Suwon, KOR)
資料名： Journal of Materials Research  (Journal of Materials Research)
巻： 27  号： 19  ページ： 2449-2456  発行年： 2012年10月14日 
JST資料番号： D0987B  ISSN： 0884-2914  CODEN： JMREEE  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高密度のTeナノ粒子は,担体エネルギー濾過効果によってS(ゼーベック係数)を増加することができる界面障壁電位と,κ(熱伝導度)の減少をもたらすフォノン散乱センターの両方を形成すると考えて,極薄いTe層とBi_0.5Sb_1.5Te₃(BST)層の交互析出で,一連のTeのナノ粒子を埋め込んだBSTを作製した。PisarenkoプロットによってSの増強を確認し,これを担体エネルギー濾過効果で説明した。エネルギー緩和の計算によって,Teナノ介在物がBST中で担体エネルギー濾過効果をもたらすことを確認した。これはZT(性能指数)の増加を示唆している。また,Teの埋め込まれたBSTでは総括熱伝導度が減少し,これによってZTがさらに増加した。10~20nmの粒子の2.5~7.5vol%の導入でBST中でパワーファクターが増加し,熱伝導度が低下することを示した。要するに,Teナノ粒子はパワーファクターの向上と総括熱伝導度の低下を同時にもたらすことよってBiSbTe合金のZTを増加した。

シソーラス用語： *アンチモン化合物 ,  *テルル化物 ,  *ビスマス化合物 ,  *テルル ,  *ナノ粒子 ,  *埋込み【挿入】 ,  熱電効果 ,  電気特性 ,  *多層膜 ,  蒸着膜 ,  レーザ蒸着 ,  パルスレーザ照射 ,  酸化マグネシウム ,  *輸送係数 ,  熱伝導率 ,  緩和現象 ,  性能指数 ,  *複合膜 ,  積層構造 ,  *半導体薄膜 ,  電気伝導率 ,  パルスレーザ蒸着
準シソーラス用語： *Seebeck係数 ,  エネルギー緩和 ,  *テルル化ビスマスアンチモン ,  *交互積層膜 ,  熱電特性

分類 (3件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A) ,  その他の無機化合物の電気伝導  (BM03044O) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (6件)： テルル ,  ナノ粒子 ,  テルル化ビスマスアンチモン ,  熱電特性 ,  実験 ,  証拠