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J-GLOBAL ID：201202243932447581   整理番号：12A1738385

六角形GaN/InGaN/GaN角錐上のInGaN量子ドット形成機構

InGaN quantum dot formation mechanism on hexagonal GaN/InGaN/GaN pyramids

著者 (10件)： LUNDSKOG A (Linkoeping Univ., Linkoeping, SWE) ,  PALISAITIS J (Linkoeping Univ., Linkoeping, SWE) ,  HSU C W (Linkoeping Univ., Linkoeping, SWE) ,  ERIKSSON M (Linkoeping Univ., Linkoeping, SWE) ,  KARLSSON K F (Linkoeping Univ., Linkoeping, SWE) ,  HULTMAN L (Linkoeping Univ., Linkoeping, SWE) ,  PERSSON P O A (Linkoeping Univ., Linkoeping, SWE) ,  FORSBERG U (Linkoeping Univ., Linkoeping, SWE) ,  HOLTZ P O (Linkoeping Univ., Linkoeping, SWE) ,  JANZEN E (Linkoeping Univ., Linkoeping, SWE)
資料名： Nanotechnology  (Nanotechnology)
巻： 23  号： 30  ページ： 305708,1-6  発行年： 2012年08月03日 
JST資料番号： W0108A  ISSN： 0957-4484  CODEN： NNOTER  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： これ迄に報告されている大部分のIII窒化物系量子ドットは平面試料領域全体に不規則に分布している。GaN六角錐の頂端におけるInGaN量子ドットの成長は量子ドットの決定的配置を実現する。有機金属化学気相成長法(MOCVD)による類似の合成手順にも係わらず,文献に報告されている量子ドットの光学的性質は劇的に異なる。量子ドットは微小光ルミネセンススペクトルに狭い又は広い発光線を示す。微細構造と光学的研究から,狭い発光線を生成する量子ドットはGaN角錐頂端の(0001)ファセットに関連して核形成すると結論した。

シソーラス用語： インジウム化合物 ,  *化合物半導体 ,  半導体材料 ,  窒化ガリウム ,  角錐 ,  *量子ドット ,  *光ルミネセンス ,  発光スペクトル
準シソーラス用語： 微小光ルミネセンス

分類 (1件)： 結晶成長技術・装置  (BK13020B)

タイトルに関連する用語 (5件)： 六角形 ,  GaN ,  InGaN ,  角錐 ,  量子ドット