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J-GLOBAL ID:201202244086132943   整理番号:12A0956082

繰返し堆積とアニーリング方式からの電気的に測った原子層堆積HfO2結晶性

Crystallinity of Electrically Scaled Atomic Layer Deposited HfO2 from a Cyclical Deposition and Annealing Scheme
著者 (8件):
資料名:
巻: 159  号:ページ: G80-G88  発行年: 2012年 
JST資料番号: C0285A  ISSN: 1945-7111  CODEN: JESOAN  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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本報では,TEM画像や回折に加えシンクロトロン放射を利用するすれすれ入射面内X線回折と極点図測定により,以前に提案したモデルを検証し,更なる構造改質に向け,幾つかの基礎機構を解明した。繰返し堆積とアニーリング方式(DATA)を用い,堆積HfO2膜の構造特性化を示した。単一堆積と続く事後アニーリング(PDA)と比べ,DATA過程を利用し生成した原子層堆積(ALA)HfO2膜で,電気的性能向上が得られた。DATA利用堆積膜の構造特性を調べるため,TEM画像や回折に加えシンクロトロン放射を利用するすれすれ入射角面内X線回折と極点図測定を利用した。異なる膜厚に加え,異なるアニーリング条件による構造差を調べた。PDA膜と比べ,DATA膜で構造特性の顕著な差が認められた。また,DATA膜で,(111)優先配向(繊維組織)を持つ単結晶HfO2の進展を述べたが,PDA処理ではランダム粒子配列と混合相構造をもたらされた。
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分類 (3件):
分類
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塩基,金属酸化物  ,  酸化物薄膜  ,  金属酸化物及び金属カルコゲン化物の結晶構造 
タイトルに関連する用語 (5件):
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