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J-GLOBAL ID：201202244119389309   整理番号：12A1391859

Cu配線のための強固な拡散バリアとしての多成分(AlCrRuTaTiZr)N_xの4nm厚多層構造

4-nm thick multilayer structure of multi-component (AlCrRuTaTiZr)N_x as robust diffusion barrier for Cu interconnects

著者 (4件)： CHANG Shou-Yi (National Chung Hsing Univ., Taichung, TWN) ,  LI Chen-En (National Chung Hsing Univ., Taichung, TWN) ,  CHIANG Shen-Cheng (National Chung Hsing Univ., Taichung, TWN) ,  HUANG Yi-Chung (National Chung Hsing Univ., Taichung, TWN)
資料名： Journal of Alloys and Compounds  (Journal of Alloys and Compounds)
巻： 515  ページ： 4-7  発行年： 2012年02月25日 
JST資料番号： D0083A  ISSN： 0925-8388  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 非常に熱安定で,強固な拡散バリア層は配線構造で急激なCu拡散およびそれに続くシリサイドの形成を防ぐために非常に重要である。以前開発した5元(AlCrTaTiZr)N_xバリアー膜は膜厚が≧10nmと厚かったためその適用に限界があった。本研究ではさらに32nm以下世代のより有望な銅配線拡散バリアとして(AlCrRuTaTiZr)N_0.56窒化物およびAlCrRuTaTiZr6合金層(各々1nm厚)を交互に積層した層からなる全体の厚さがたった4nmの4層化(QL)構造を開発した。その結果,これらの4層バリア膜は非常に高い温度の800°Cのアニールの間,いかなる銅シリサイドの形成がなく,CuおよびSiの内部拡散を防いだ。

シソーラス用語： *配線 ,  銅 ,  *拡散障壁 ,  *多成分系 ,  *窒化物 ,  *合金層 ,  インタリーブ ,  *多層構造 ,  マグネトロンスパッタリング ,  *反応性スパッタリング ,  窒素 ,  セラミック膜 ,  スパッタ蒸着 ,  焼なまし ,  ケイ化物 ,  銅化合物 ,  抑制
準シソーラス用語： *交互積層 ,  *銅配線

分類 (2件)： プリント回路  (NA05040O) ,  その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A)

タイトルに関連する用語 (4件)： Cu配線 ,  拡散バリア ,  厚 ,  多層構造