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J-GLOBAL ID：201202244165059640   整理番号：12A1727378

窒化ホウ素ナノチューブに於ける電子特性の電界放出と歪工学

Field emission and strain engineering of electronic properties in boron nitride nanotubes

著者 (4件)： GHASSEMI Hessam M (Michigan Technological Univ., MI, USA) ,  LEE Chee Hui (Michigan Technological Univ., MI, USA) ,  YAP Yoke Khin (Michigan Technological Univ., MI, USA) ,  YASSAR Reza S (Michigan Technological Univ., MI, USA)
資料名： Nanotechnology  (Nanotechnology)
巻： 23  号： 10  ページ： 105702,1-6  発行年： 2012年03月16日 
JST資料番号： W0108A  ISSN： 0957-4484  CODEN： NNOTER  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 複数サイクル電界放出(FE)実験でBNNTs電界放出挙動を研究し,BNNTsの電子特性調整の歪工学の道筋を示す。機械変形下のBNNTs電子特性を調整し,機械変形はSTMホルダによりTEMチャンバ内で行われた。BNNTsは管炉内で1100~1200°Cの熱CVDでSi基板に直接堆積された。BNNTsはSTMチップとは別に追跡され,放出電子に対し0~110Vの負バイアス電圧を20~60s印加した。個々のBNNTsは110Vで電流密度~1mAcm^-2,ターンオン電圧325Vμm^-1を示した。半導体パラメータ測定はバンドギャップが機械変形で調整出来る事を示し,歪量に基づく個々のBNNTs抵抗は2000~769MΩで電子濃度は0.35-1.1×10¹⁷ cm^-3と計算された。

シソーラス用語： *窒化ホウ素 ,  化合物半導体 ,  *ナノチューブ ,  *化学蒸着 ,  基板 ,  ケイ素 ,  半導体薄膜 ,  電圧 ,  *バンドギャップ ,  *電界放出 ,  *電気抵抗 ,  *濃度 ,  残留歪 ,  電流電圧特性
準シソーラス用語： バイアス電圧 ,  ターンオン電圧 ,  電子濃度

分類 (2件)： 半導体結晶の電気伝導  (BM03043X) ,  熱電子放出,電界放出  (BM09020S)

タイトルに関連する用語 (5件)： 窒化ホウ素ナノチューブ ,  電子 ,  電界放出 ,  歪 ,  工学