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J-GLOBAL ID：201202244337742355   整理番号：12A0832893

ファイバプローブとの近接場相互作用に誘起されたZnO量子ドットにおける双極子禁制エネルギー状態からの発光

Emission from a dipole-forbidden energy state in a ZnO quantum dot induced by a near-field interaction with a fiber probe

著者 (5件)： YATSUI T. (School of Engineering, Univ. of Tokyo, Bunkyo-ku, Tokyo 113-8656, JPN) ,  TSUJI M. (School of Engineering, Univ. of Tokyo, Bunkyo-ku, Tokyo 113-8656, JPN) ,  LIU Y. (School of Engineering, Univ. of Tokyo, Bunkyo-ku, Tokyo 113-8656, JPN) ,  KAWAZOE T. (School of Engineering, Univ. of Tokyo, Bunkyo-ku, Tokyo 113-8656, JPN) ,  OHTSU M. (School of Engineering, Univ. of Tokyo, Bunkyo-ku, Tokyo 113-8656, JPN)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 100  号： 22  ページ： 223110-223110-4  発行年： 2012年05月28日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 球形量子ドット(QD)における双極子禁制状態からの発光強度を,ZnO QD近くに開口ファイバプローブを導入して,プローブチップとQDとの間に近接場相互作用を誘起することにより増大した。基底励起子状態と励起励起子状態の光ルミネセンス強度の断面積プロファイルは反相関なやり方で空間変動した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *酸化亜鉛 ,  化合物半導体 ,  *近接場 ,  相互作用 ,  E1遷移 ,  禁止遷移 ,  量子ドット ,  基底状態 ,  励起状態 ,  *励起子 ,  *光ルミネセンス ,  断面積 ,  光ファイバセンサ
準シソーラス用語： 近接場相互作用 ,  光ファイバプローブ ,  酸化物半導体

分類 (2件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S) ,  励起子  (BM02120E)

タイトルに関連する用語 (7件)： 近接場 ,  相互作用 ,  誘起 ,  ZnO ,  量子ドット ,  双極子 ,  エネルギー状態