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J-GLOBAL ID：201202244445402781   整理番号：12A0809860

HVPEで成長したGaN自立基板の転位低減のための改善に向けた硬度制御

Hardness control for improvement of dislocation reduction in HVPE-grown freestanding GaN substrates

著者 (4件)： FUJIKURA Hajime (Compound Semiconductor Production Div., Hitachi-Cable, Ltd., 880 Isagosawa-cho, Hitachi Ibaraki 319-1418, JPN) ,  OSHIMA Yuichi (Advanced Electronic Materials Res. Dep., R&D Lab., Hitachi-Cable, Ltd., 3550 Kidamari, Tsuchiura, Ibaraki 300-0026, JPN) ,  MEGRO Takeshi (Compound Semiconductor Production Div., Hitachi-Cable, Ltd., 880 Isagosawa-cho, Hitachi Ibaraki 319-1418, JPN) ,  SAITO Toshiya (Compound Semiconductor Production Div., Hitachi-Cable, Ltd., 880 Isagosawa-cho, Hitachi Ibaraki 319-1418, JPN)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 350  号： 1  ページ： 38-43  発行年： 2012年07月01日 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GaN自立基板に対するナノインデンテーション測定から,GaN結晶の硬度が,水素化物気相エピタキシー(HVPE)用の成長条件を変えることによって制御できることを明確に初めて明らかにした。窒素空格子点に関連した機構による転位の不均一核生成が,GaN結晶の硬度を恐らく制御している。ナノインデンテーション硬度で観測した変化を,GaN結晶中の窒素空格子点濃度の成長条件への依存性の観点から説明することができた。この結晶硬度の制御は,GaN自立基板のHVPE成長時の転位低減過程に著しく影響を与えた。理論によれば,貫通転位密度(TDD)は成長厚さの増加に伴って,連続的に減少するはずである。しかし,成長で誘起した応力の蓄積の結果として,あまり硬くない結晶を有するGaN自立基板では,TDDの減少は,ある臨界厚さで停止し,10⁶/cm²のおおむね中間領域で飽和した。このTDDsの飽和挙動は,HVPE条件を変化させて,GaN結晶をより硬い硬度にすることによって打開することができ,10⁵/cm²の範囲の極めて低いTDDsを有するGaN自立基板をもたらした。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *エピタクシー ,  *窒化ガリウム ,  化合物半導体 ,  基板 ,  *硬度 ,  減少 ,  *ナノインデンテーション ,  *厚膜
準シソーラス用語： 自立基板 ,  *水素化物気相エピタクシー ,  転位低減

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (6件)： HVPE ,  成長 ,  GaN ,  自立 ,  転位 ,  硬度