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J-GLOBAL ID：201202244458519017   整理番号：12A0885435

有機薄膜デバイスの高性能化に向けた透明導電基板の原子レベル超平坦化

著者 (5件)： 松田晃史 (東京工大 大学院) ,  山内涼輔 (東京工大 大学院) ,  TAN Geng (東京工大 大学院) ,  吉本護 (東京工大 大学院) ,  金子智 (神奈川産技セ)
資料名： 高分子学会予稿集(CD-ROM)  (高分子学会討論会予稿集(CD-ROM))
巻： 61  号： 1  ページ： ROMBUNNO.2PE087  発行年： 2012年05月15日 
JST資料番号： Z0703C  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *基板 ,  電気装置部品 ,  *酸化インジウムスズ ,  リソグラフィー ,  押付成形 ,  レーザ蒸着 ,  レーザアブレーション ,  原子間力顕微鏡 ,  表面構造 ,  表面粗さ ,  改変 ,  有機材料 ,  *高分子薄膜 ,  *透明導電膜 ,  パルスレーザ蒸着
準シソーラス用語： *ガラス基板 ,  ナノインプリントリソグラフィー ,  表面モルフォロジー ,  平坦化 ,  *有機薄膜

分類 (3件)： 高分子固体の構造と形態学  (CG02022M) ,  有機化合物の薄膜  (BK14070L) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (5件)： 有機薄膜 ,  高性能化 ,  導電基板 ,  原子 ,  平坦化