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J-GLOBAL ID：201202244462162727   整理番号：12A1589295

3次元MEMS高真空ウエハレベルパッケージング

3D MEMS High Vacuum Wafer Level Packaging

著者 (6件)： NICOLAS S. (LETI, CEA, GRENOBLE, FRA) ,  CAPLET S. (LETI, CEA, GRENOBLE, FRA) ,  GRECO F. (LETI, CEA, GRENOBLE, FRA) ,  AUDOIN M. (LETI, CEA, GRENOBLE, FRA) ,  BAILLIN X. (LETI, CEA, GRENOBLE, FRA) ,  FANGET S. (LETI, CEA, GRENOBLE, FRA)
資料名： Proceedings. Electronic Components & Technology Conference  (Proceedings. Electronic Components & Technology Conference)
巻： 62nd Vol.1  ページ： 370-376  発行年： 2012年 
JST資料番号： H0393A  ISSN： 0569-5503  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： MEMSには可動する脆弱な構造が有り,高真空パッケージが必要である。本研究では,3次元貫通接続を有するMEMS用の気密高真空ウエハレベルパッケージを実現するため,陽極接合プロセスと二つの接続技術を開発した。密閉封止されたシリコンウエハにMEMS共振器を作成し,そのQ値を測定することによってパッケージ内の真空度を評価した。光学顕微鏡でガラスを通してQ値を測定でき,プロセス中の真空度変化を追う事が可能になった。最初に陽極接合プロセスを組合せた貫通ガラス配線技術を開発し,MEMSをASICと電気的に接続して,高い真空度を実現した。次に,MEMSをPCBに直接接続するフリップチップ接続の貫通シリコン配線プロセスを検討した。Q値測定による真空度劣化の観測から貫通シリコン配線プロセス内にアウトガス発生の工程を見出した。その発生を最小にする簡略プロセスを開発して,真空度問題を解決した。そして10^-2ミリバール以下の高真空度を実現した。

シソーラス用語： *MEMS ,  *高真空 ,  *ICパッケージ ,  多層配線 ,  バイアホール ,  接合 ,  共振器 ,  Q値 ,  真空度 ,  フリップチップ法 ,  汚染物質 ,  気体
準シソーラス用語： アウトガス ,  *ウエハレベルパッケージング ,  貫通電極 ,  陽極接合

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (4件)： 3次元 ,  MEMS ,  高真空 ,  ウエハレベルパッケージング