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J-GLOBAL ID：201202244586777363   整理番号：12A1432261

ペンタセン有機電界効果トランジスタに基づくアンモニアガスセンサ

Ammonia gas sensor based on pentacene organic field-effect transistor

著者 (4件)： YU Junsheng (State Key Lab. of Electronic Thin Films and Integrated Devices, School of Optoelectronic Information, Univ. of ...) ,  YU Xinge (State Key Lab. of Electronic Thin Films and Integrated Devices, School of Optoelectronic Information, Univ. of ...) ,  ZHANG Lin (State Key Lab. of Electronic Thin Films and Integrated Devices, School of Optoelectronic Information, Univ. of ...) ,  ZENG Hongjuan (State Key Lab. of Electronic Thin Films and Integrated Devices, School of Optoelectronic Information, Univ. of ...)
資料名： Sensors and Actuators. B. Chemical  (Sensors and Actuators. B. Chemical)
巻： 173  ページ： 133-138  発行年： 2012年10月 
JST資料番号： T0967A  ISSN： 0925-4005  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ボトムコンタクト電界効果トランジスタ(OFET)に基づく有機アンモニア(NH₃)センサを,活性層としてペンタセンおよび絶縁体としてポリメタクリル酸メチル(PMMA)を用いて創製した。OFETセンサは,センサを種々のNH₃濃度に曝すと,閾値電圧,飽和電流および電界効果電荷キャリア移動度などの誘電特性の変化を示した。一方,センサを10~100ppmの範囲の異なるNH₃濃度の種々の暴露/排気サイクルに曝すと,OFETセンサの優先的な高速NH₃応答特性が,時間の関数としてドレイン-ソース電流の変化から観察された。更に,空気中のNH₃ガスを連続的に検出するOFETセンサの環境的安定性を,30日間の空気中でセンサを保管して検討した。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *ガスセンサ ,  *アンモニア ,  FET【トランジスタ】 ,  素子構造 ,  固体素子 ,  導電性高分子 ,  電極材料 ,  電極過程 ,  *ポリアセン ,  絶縁材料 ,  ポリメタクリル酸メチル ,  ガラス ,  基板 ,  応答特性 ,  電圧 ,  閾値 ,  電流 ,  飽和 ,  *電場効果 ,  *キャリア ,  正孔 ,  電荷 ,  移動度 ,  *誘電性 ,  原子間力顕微鏡 ,  三次元 ,  可視化 ,  画像 ,  形態 ,  表面構造 ,  濃度依存性 ,  時間依存性 ,  *安定性 ,  絶縁体
準シソーラス用語： ボトムコンタクト ,  画像化 ,  *電荷キャリア ,  *電界効果 ,  電界効果トランジスタ ,  表面モルフォロジー ,  飽和電流 ,  *誘電特性 ,  閾値電圧

分類 (4件)： 分析機器  (CC02020S) ,  電極過程  (CB07040U) ,  その他の高分子材料  (YH07150C) ,  高分子固体の物理的性質  (CG02024U)

物質索引 (1件)： ペンタセン

タイトルに関連する用語 (4件)： ペンタセン ,  有機電界効果トランジスタ ,  アンモニア ,  ガスセンサ