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J-GLOBAL ID：201202244819159290   整理番号：12A1706180

種々のゲート誘電体を有する原子層堆積ZnO薄膜トランジスタ

Atomic-layer-deposited ZnO thin-film transistors with various gate dielectrics

著者 (6件)： YANG Jaehyun (Sungkyunkwan Univ., Suwon, KOR) ,  PARK Joong Keun (Sungkyunkwan Univ., Suwon, KOR) ,  KIM Sunkook (Kyung Hee Univ., Yongin, KOR) ,  CHOI Woong (Kookmin Univ., Seoul, KOR) ,  LEE Sangyoon (Samsung Advanced Inst. of Technol., Yongin, KOR) ,  KIM Hyoungsub (Sungkyunkwan Univ., Suwon, KOR)
資料名： Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science  (Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science)
巻： 209  号： 10  ページ： 2087-2090  発行年： 2012年10月 
JST資料番号： D0774A  ISSN： 1862-6300  CODEN： PSSABA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 熱成長させたSiO₂,原子層堆積したAl₂O₃とHfO₂の種々のゲート誘電体が,ボトムゲート型原子層堆積ZnO薄膜トランジスタ(TFT)の性能に及ぼす影響を調べた。高κゲート誘電体試料では,SiO₂上に高κ膜を有する積層構造を用いてゲート漏れ電流を最小にした。ZnO膜の結晶度と表面形態は下層のゲート誘電体層に強く依存し,TFTの特性に強く相関することを示した。Al₂O₃によるTFTが最良の性質を示した。

シソーラス用語： *酸化膜 ,  二酸化ケイ素 ,  *化学蒸着 ,  酸化アルミニウム ,  酸化ハフニウム ,  *薄膜トランジスタ ,  薄膜成長 ,  半導体薄膜 ,  漏れ電流 ,  *ゲート絶縁膜
準シソーラス用語： *ゲート誘電体 ,  *原子層堆積 ,  熱成長酸化膜

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： ゲート誘電体 ,  原子層堆積 ,  ZnO薄膜 ,  トランジスタ